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1 49.00000 NT$49.00
10 44.00000 NT$440.00
25 41.72000 NT$1,043.00
100 34.26000 NT$3,426.00
500 28.30400 NT$14,152.00
1,000 22.34500 NT$22,345.00

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其他包裝
  • 編帶和捲軸封裝 (TR)  : DMT10H010LPS-13DITR-ND
  • 最低訂購數量為: 2,500
  • 現有數量: 27,500 - 即時供貨
  • 單價: NT$20.85520

DMT10H010LPS-13

規格書
Digi-Key零件編號 DMT10H010LPS-13DICT-ND
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製造商

Diodes Incorporated

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製造商零件編號 DMT10H010LPS-13
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說明 MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060
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製造商的標準前置時間 40 週
完整說明

N 通道 100V 9.4 A (Ta)、98 A (Tc) 1.2W (Ta)、139W (Tc) 表面黏著式 PowerDI5060-8

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客戶參考號碼
文件與媒體
規格書 DMT10H010LPS
RoHS指令資訊 Diodes RoHS 3 Cert
特色產品 Synchronous Rectifier
PCN 組裝地/原產地 Mult Dev Site Chg 6/Aug/2020
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別
製造商 Diodes Incorporated
系列 -
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 100V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 9.4 A (Ta)、98 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 4.5V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 9.5mOhm @ 13A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id 3.5V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 71nC @ 10V
Vgs (最大值) ±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 3000pF @ 50V
FET 特點 -
功率耗散 (最大值) 1.2W (Ta)、139W (Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 PowerDI5060-8
封裝/外殼 8-PowerTDFN
基本零件編號 DMT10
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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其他資源
標準包裝 1
其他名稱 DMT10H010LPS-13DICT