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BSP149H6327XTSA1 N 通道 200V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) 表面黏著式 PG-SOT223-4
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BSP149H6327XTSA1

規格書
Digi-Key零件編號 BSP149H6327XTSA1CT-ND
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製造商

Infineon Technologies

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製造商零件編號 BSP149H6327XTSA1
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說明 MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
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製造商的標準前置時間 34 週
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N 通道 200V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) 表面黏著式 PG-SOT223-4

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產品屬性
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類別
製造商 Infineon Technologies
系列 SIPMOS®
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 200V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 660mA (Ta)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 0V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 1.8Ohm @ 660mA、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id 1V @ 400µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 14nC @ 5V
Vgs (最大值) ±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 430pF @ 25V
FET 特點 耗盡模式
功率耗散 (最大值) 1.8W (Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 PG-SOT223-4
封裝/外殼 TO-261-4、TO-261AA
基本零件編號 BSP149
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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其他資源
標準包裝 1
其他名稱 BSP149H6327XTSA1CT