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1 48.00000 NT$48.00
10 42.50000 NT$425.00
25 40.40000 NT$1,010.00
100 33.17000 NT$3,317.00
500 27.40200 NT$13,701.00
1,000 22.94500 NT$22,945.00

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其他包裝
  • 編帶和捲軸封裝 (TR)  : FDMS86105TR-ND
  • 最低訂購數量為: 3,000
  • 現有數量: 18,000 - 即時供貨
  • 單價: NT$22.94500
  • Digi-Reel®  : FDMS86105DKR-ND
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  • 單價: Digi-Reel®

FDMS86105

規格書
Digi-Key零件編號 FDMS86105CT-ND
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製造商

ON Semiconductor

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製造商零件編號 FDMS86105
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說明 MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN
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製造商的標準前置時間 26 週
完整說明

N 通道 100V 6 A (Ta)、26 A (Tc) 2.5W (Ta)、48W (Tc) 表面黏著式 8-PQFN (5x6)

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客戶參考號碼
文件與媒體
規格書 FDMS86105
RoHS指令資訊 Material Declaration FDMS86105
特色產品 Cloud Systems Computing
Mid- and Low-Voltage MOSFETs
PCN 設計/規格 Logo 17/Aug/2017
PCN 包裝 Mult Devices 24/Oct/2017
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別
製造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench®
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 100V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 6 A (Ta)、26 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 6V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 34mOhm @ 6A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id 4V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 11nC @ 10V
Vgs (最大值) ±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 645pF @ 50V
FET 特點 -
功率耗散 (最大值) 2.5W (Ta)、48W (Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 8-PQFN (5x6)
封裝/外殼 8-PowerTDFN
基本零件編號 FDMS86
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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其他資源
標準包裝 1
其他名稱 FDMS86105CT