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FDS6575 P 通道 20V 10 A (Ta) 2.5W (Ta) 表面黏著式 8-SOIC
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10 40.90000 NT$409.00
25 38.80000 NT$970.00
100 31.87000 NT$3,187.00
500 26.32800 NT$13,164.00
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其他包裝
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  • Digi-Reel®  : FDS6575DKR-ND
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FDS6575

規格書
Digi-Key零件編號 FDS6575CT-ND
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製造商

ON Semiconductor

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製造商零件編號 FDS6575
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說明 MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
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製造商的標準前置時間 39 週
完整說明

P 通道 20V 10 A (Ta) 2.5W (Ta) 表面黏著式 8-SOIC

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客戶參考號碼
文件與媒體
規格書 FDS6575
RoHS指令資訊 Material Declaration FDS6575
PCN 設計/規格 Mold Compound 12/Dec/2007
Logo 17/Aug/2017
PCN 組裝地/原產地 Wafer Fab 02/Aug/2020
PCN 包裝 Mult Devices 24/Oct/2017
Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018
EDA / CAD 模型 FDS6575 by Ultra Librarian
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別
製造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench®
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 P 通道
技術 MOSFET (金氧)
汲極至源極電壓 (Vdss) 20V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 10 A (Ta)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 2.5V、4.5V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 13mOhm @ 10A、4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id 1.5V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 74nC @ 4.5V
Vgs (最大值) ±8V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 4951pF @ 10V
FET 特點 -
功率耗散 (最大值) 2.5W (Ta)
工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 8-SOIC
封裝/外殼 8-SOIC (0.154"、3.90mm 寬)
基本零件編號 FDS65
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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其他資源
標準包裝 1
其他名稱 FDS6575CT