TWD | USD
喜愛項目

價格與採購
2,586 庫存現貨
可立即發貨
 

數量
所有價格皆為 TWD。
價格分段 單價 總價
1 59.00000 NT$59
10 49.00000 NT$490
25 47.40000 NT$1,185
100 38.99000 NT$3,899
500 32.99400 NT$16,497
1,000 27.99500 NT$27,995

送出報價請求,瞭解超過顯示數量時的價格。

其他包裝
  • 編帶和捲軸封裝 (TR)  : 917-1169-2-ND
  • 最低訂購數量為: 2,500
  • 現有數量: 2,500 - 即時供貨
  • 單價: NT$26.59520
  • Digi-Reel®  : 917-1169-6-ND
  • 最低訂購數量為: 1
  • 現有數量: 2,586 - 即時供貨
  • 單價: Digi-Reel®

EPC2108

規格書
Digi-Key零件編號 917-1169-1-ND
複製  
製造商

EPC

複製  
製造商零件編號 EPC2108
複製  
說明 GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
複製  
製造商的標準前置時間 14 週
完整說明

MOSFET - 陣列 3 N 通道 (半橋 + 同步靴帶式) 60V、100V 1.7A、500mA 表面黏著式 9-BGA (1.35x1.35)

複製  
客戶參考號碼
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別
製造商 EPC
系列 eGaN®
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 3 N 通道 (半橋 + 同步靴帶式)
FET 特點 GaNFET (氮化鎵)
汲極至源極電壓 (Vdss) 60V、100V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 1.7A、500mA
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 190mOhm @ 2.5A、5V、3.3Ohm @ 2.5A、5V
Vgs(th) (最大值) @ Id 2.5V @ 100µA、2.5V @ 20µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 0.22nC @ 5V、0.044nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 22pF @ 30V、7pF @ 30V
功率 - 最大值 -
工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
封裝/外殼 9-VFBGA
供應商元件封裝 9-BGA (1.35x1.35)
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
相關產品 查看更多項目

LMG1205YFXR

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

NT$122.00000 詳情

LMG1205YFXT

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

NT$140.00000 詳情

LM5113TME/NOPB

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

NT$158.00000 詳情

LM5113QDPRRQ1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON

Texas Instruments

NT$144.00000 詳情

LM5113SD/NOPB

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON

Texas Instruments

NT$158.00000 詳情

LM5113SDE/NOPB

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON

Texas Instruments

NT$177.00000 詳情
您可能會對以下項目感興趣

EPC2107

GANFET 3 N-CH 100V 9BGA

EPC

NT$62.00000 詳情

EPC2110

GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE

EPC

NT$73.00000 詳情

EPC2152ENGRT

IC GANFET HALFBRIDG/DRIVER 12LGA

EPC

NT$301.00000 詳情

EPC2106

GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE

EPC

NT$56.00000 詳情

EPC2023

GANFET N-CH 30V 60A DIE

EPC

NT$234.00000 詳情

EPC2206

GANFET N-CH 80V 90A DIE

EPC

NT$198.00000 詳情
其他資源
標準包裝 1
其他名稱 917-1169-1