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EPC2100 MOSFET - 陣列 兩個 N 通道 (半橋) 30V 10 A (Ta)、40 A (Ta) 表面黏著式 模具
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EPC2100

規格書
Digi-Key零件編號 917-1180-1-ND
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製造商

EPC

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製造商零件編號 EPC2100
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說明 GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
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製造商的標準前置時間 14 週
完整說明

MOSFET - 陣列 兩個 N 通道 (半橋) 30V 10 A (Ta)、40 A (Ta) 表面黏著式 模具

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客戶參考號碼
文件與媒體
規格書 EPC2100
EPC2100
特色產品 EPC2100 Transistors and EPC9036 Dev Board
公版設計庫 EPC9059: 50A, 0 ~ 20V, Half Bridge
PCN 組裝地/原產地 Mult Dev Site Add 28/Aug/2020
HTML 規格書 EPC2100 Datasheet
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別
製造商 EPC
系列 eGaN®
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 兩個 N 通道 (半橋)
FET 特點 GaNFET (氮化鎵)
汲極至源極電壓 (Vdss) 30V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 10 A (Ta)、40 A (Ta)
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 8.2mOhm @ 25A、5V、2.1mOhm @ 25A、5V
Vgs(th) (最大值) @ Id 2.5V @ 4mA、2.5V @ 16mA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.9nC @ 15V、19nC @ 15V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 475pF @ 15V、1960pF @ 15V
功率 - 最大值 -
工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
封裝/外殼 模具
供應商元件封裝 模具
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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其他資源
標準包裝 1
其他名稱 917-1180-1