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EPC2105 MOSFET 陣列 兩個 N 通道 (半橋) 80V 9.5 A、38 A 表面黏著式 Die
價格與採購
 

數量
所有價格皆為 TWD。
價格分段 單價 總價
1 274.00000 NT$274
10 246.20000 NT$2,462
25 224.36000 NT$5,609
100 202.46000 NT$20,246
250 186.04400 NT$46,511

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產品概述
Digi-Key零件編號 917-1185-1-ND
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現有數量 9,969
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製造商

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製造商零件編號

EPC2105

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說明 GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
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完整說明

MOSFET 陣列 兩個 N 通道 (半橋) 80V 9.5 A、38 A 表面黏著式 Die

複製   MOSFET 陣列 兩個 N 通道 (半橋) 80V 9.5 A、38 A  表面黏著式 Die
產品屬性 選取所有項目
類別
製造商 EPC
系列 eGaN®
包裝 ? 絕緣帶封裝 (CT) ?
零件狀態 有效
FET 類型 兩個 N 通道 (半橋)
FET 特點 GaNFET (氮化鎵)
汲極至源極電壓 (Vdss) 80V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 9.5 A、38 A
Rds On(最大)@ Id、Vgs 14.5mOhm @ 20A、5V、3.4mOhm @ 20A、5V
Vgs(th)(最大值)@ Id 2.5V @ 2.5mA、2.5V @ 10mA
閘極電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 2.5nC @ 5V、10nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) (最大) @ Vds 300pF @ 40V、1100pF @ 40V
功率 - 最大 -
工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
封裝/外殼 模具
供應商元件封裝 Die
 
環境和出口規範分類
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 無鉛 / 符合 RoHS 指令
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
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03:30:08 5/19/2019