TWD | USD
喜愛項目

價格與採購
22,368 庫存現貨
可立即發貨
 

數量
所有價格皆為 TWD。
價格分段 單價 總價
1 43.00000 NT$43
10 38.70000 NT$387
25 36.76000 NT$919
100 30.19000 NT$3,019
500 24.94200 NT$12,471
1,000 19.69100 NT$19,691

送出報價請求,瞭解超過顯示數量時的價格。

EPC2051

規格書
Digi-Key零件編號 917-1201-1-ND
複製  
製造商

EPC

複製  
製造商零件編號 EPC2051
複製  
說明 GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
複製  
製造商的標準前置時間 10 週
完整說明

N 通道 100V 1.7 A (Ta) 表面黏著式 模具

複製  
客戶參考號碼
文件與媒體
規格書 EPC2051
特色產品 EPC2051 100 V eGaN® Power Transistor
100V Gen 5 Family
公版設計庫 EPC9091: 5A, 0 ~ 100V Half H-Bridge
PCN 組裝地/原產地 Mult Dev Site Add 28/Aug/2020
EDA / CAD 模型 EPC2051 by Ultra Librarian
產品屬性
類型 說明 選取所有項目
類別
製造商 EPC
系列 eGaN®
封裝 絕緣帶封裝 (CT) 
零件狀態 有源
FET 類型 N 通道
技術 GaNFET (氮化鎵)
汲極至源極電壓 (Vdss) 100V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 1.7 A (Ta)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 5V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 25mOhm @ 3A、5V
Vgs(th) (最大值) @ Id 2.5V @ 1.5mA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 2.1nC @ 5V
Vgs (最大值) +6V、-4V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 258pF @ 50V
FET 特點 -
功率耗散 (最大值) -
工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 表面黏著式
供應商元件封裝 模具
封裝/外殼 模具
 
環境和出口規範分類
RoHS 指令狀態 ROHS3 合規
濕度敏感等級 (MSL) 1 (無限)
相關產品

LMG1205YFXR

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

NT$124.00000 詳情

LMG1205YFXT

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

NT$143.00000 詳情

LMG1205YFXR

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

Digi-Reel® 詳情

LMG1205YFXR

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

NT$73.75767 詳情

LMG1205YFXT

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

Digi-Reel® 詳情

LMG1205YFXT

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

NT$99.62400 詳情
您可能會對以下項目感興趣

EPC2045

GANFET N-CH 100V 16A DIE

EPC

NT$65.00000 詳情

EPC2036

GANFET N-CH 100V 1.7A DIE

EPC

NT$26.00000 詳情

EPC8002

GANFET N-CH 65V 2A DIE

EPC

NT$93.00000 詳情

EPC2035

GANFET N-CH 60V 1A DIE

EPC

NT$30.00000 詳情

STL8P4LLF6

MOSFET P-CH 40V POWERFLAT

STMicroelectronics

NT$29.00000 詳情

3224G-1-501E

TRIMMER 500 OHM 0.25W GW SIDE

Bourns Inc.

NT$150.00000 詳情
其他資源
標準包裝 1
其他名稱 917-1201-1