採用緊湊型 QFN 8x8 封裝的 650 V 碳化矽肖特基二極體

Wolfspeed 的碳化矽 (SiC) 650 V 肖特基二極體技術已針對高效能電力電子應用進行最佳化

Wolfspeed 的第六代 SiC 肖特基能障二極體圖片憑藉 Wolfspeed 碳化矽 (SiC) 肖特基能障二極體的效能優勢,電力電子系統有望滿足比矽解決方案還高的效率標準,同時還能達到更高的頻率和功率密度。SiC 二極體可以輕鬆並聯來滿足各種應用需求,而無需擔心熱失控。結合 SiC 產品更低的冷卻需求和更佳的熱效能,SiC 二極體能夠在各種不同的應用中提供更低的整體系統成本。

特點
  • 具有正溫度係數的低順向電壓 (VF) 下降
  • 零逆向恢復電流/順向恢復電壓
  • 不受溫度影響的切換行為
  • 低電感值的薄型封裝
優點
  • 更低的導通損耗,可提高系統效率
  • 實現高切換頻率的操作
  • 提高系統級的功率密度
  • 減少系統尺寸、重量和冷卻需求
應用
  • 企業電源、伺服器、電信電源供應器
  • 切換式電源供應器
  • 工業電源供應器
  • 增強的功率因數校正
  • 靴帶式二極體
  • LLC 箝位

650 V Silicon Carbide Schottky Diodes in Compact QFN 8x8 Package

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8A 650V SIC SCHOTTKY QFNC6D08065Q-TR8A 650V SIC SCHOTTKY QFN0查看詳情
10A 650V SIC SCHOTTKY QFNC6D10065Q-TR10A 650V SIC SCHOTTKY QFN187 - 即時供貨查看詳情
6A 650V SIC SCHOTTKY QFNC6D06065Q-TR6A 650V SIC SCHOTTKY QFN2671 - 即時供貨查看詳情
發佈日期: 2022-02-01

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