單一 FET、MOSFET

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系列
包裝
產品狀態
FET 類型
技術
汲極至源極電壓 (Vdss)
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
Vgs(th) (最大值) @ Id
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
Vgs (最大值)
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
FET 特點
功率耗散 (最大值)
工作溫度
等級
資格
安裝類型
供應商元件封裝
封裝／外殼
881
庫存現貨
1 : NT$301.00000
切帶裝 (CT)
1,000 : NT$130.60000
編帶和捲軸封裝 (TR)
編帶和捲軸封裝 (TR)
切帶裝 (CT)
Digi-Reel®
有源
N 通道
SiCFET (碳化矽)
650 V
49 A (Tc)
15V、20V
49ミリオーム @ 22.9A、18V
5.6V @ 4.6mA
28 nC @ 18 V
+23V、-7V
997 pF @ 400 V
-
197W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
表面黏著式
PG-TO263-7-12
TO-263-8、D2PAK (7 引線 + 接片)、TO-263CA
IMLT65R033M2HXTMA1
IMLT65R020M2HXTMA1
SICFET N-CH 650V 107A HDSOP-16
Infineon Technologies
903
庫存現貨
1 : NT$454.00000
切帶裝 (CT)
1,800 : NT$224.67222
編帶和捲軸封裝 (TR)
編帶和捲軸封裝 (TR)
切帶裝 (CT)
Digi-Reel®
有源
N 通道
SiCFET (碳化矽)
650 V
107 A (Tc)
15V、18V
24ミリオーム @ 46.9A、18V
5.6V @ 9.5mA
57 nC @ 18 V
+23V、-7V
2038 pF @ 400 V
-
454W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
表面黏著式
PG-HDSOP-16-6
16-PowerSOP 模組
219
庫存現貨
1 : NT$511.00000
管裝
管裝
有源
N 通道
SiCFET (碳化矽)
650 V
83 A (Tc)
15V、20V
18mOhm @ 46.9A、20V
5.6V @ 9.5mA
57 nC @ 18 V
+23V、-7V
2038 pF @ 400 V
-
273W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
通孔式
PG-TO247-4-8
TO-247-4
IMLT65R033M2HXTMA1
IMLT65R015M2HXTMA1
SICFET N-CH 650V 142A HDSOP-16
Infineon Technologies
540
庫存現貨
1 : NT$546.00000
切帶裝 (CT)
1,800 : NT$284.84056
編帶和捲軸封裝 (TR)
編帶和捲軸封裝 (TR)
切帶裝 (CT)
Digi-Reel®
有源
N 通道
SiCFET (碳化矽)
650 V
142 A (Tc)
15V、18V
18ミリオーム @ 64.2A、18V
5.6V @ 13mA
79 nC @ 18 V
+23V、-7V
2792 pF @ 400 V
-
600W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
表面黏著式
PG-HDSOP-16-6
16-PowerSOP 模組
448
庫存現貨
1 : NT$581.00000
切帶裝 (CT)
1,000 : NT$309.10500
編帶和捲軸封裝 (TR)
編帶和捲軸封裝 (TR)
切帶裝 (CT)
Digi-Reel®
有源
N 通道
SiCFET (碳化矽)
650 V
115 A (Tc)
15V、20V
18ミリオーム @ 64.2A、18V
5.6V @ 13mA
79 nC @ 18 V
+23V、-7V
2792 pF @ 400 V
-
416W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
表面黏著式
PG-TO263-7-12
TO-263-8、D2PAK (7 引線 + 接片)、TO-263CA
868
庫存現貨
1 : NT$598.00000
管裝
管裝
有源
N 通道
SiCFET (碳化矽)
650 V
103 A (Tc)
15V、20V
13.2mOhm @ 64.2A、20V
5.6V @ 13mA
79 nC @ 18 V
+23V、-7V
2792 pF @ 400 V
-
341W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
通孔式
PG-TO247-4-8
TO-247-4
PG-TO263-7-12
IMBG65R007M2HXTMA1
SICFET N-CH 650V 238A TO263-7
Infineon Technologies
2,546
庫存現貨
1 : NT$1,013.00000
切帶裝 (CT)
1,000 : NT$627.29100
編帶和捲軸封裝 (TR)
編帶和捲軸封裝 (TR)
切帶裝 (CT)
Digi-Reel®
有源
N 通道
SiCFET (碳化矽)
650 V
238A (Tc)
15V、20V
8.5mOhm @ 146.3A、18V
5.6V @ 2.97mA
179 nC @ 18 V
+23V、-7V
6359 pF @ 400 V
-
789W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
表面黏著式
PG-TO263-7-12
TO-263-8、D2PAK (7 引線 + 接片)、TO-263CA
IMLT65R033M2HXTMA1
IMLT65R060M2HXTMA1
SICFET N-CH 650V 40A HDSOP-16
Infineon Technologies
1,328
庫存現貨
1 : NT$224.00000
切帶裝 (CT)
1,800 : NT$88.16889
編帶和捲軸封裝 (TR)
編帶和捲軸封裝 (TR)
切帶裝 (CT)
Digi-Reel®
有源
N 通道
SiCFET (碳化矽)
650 V
40 A (Tc)
15V、18V
73mOhm @ 15.4A、18V
5.6V @ 3.1mA
18 nC @ 18 V
+23V、-7V
669 pF @ 400 V
-
200W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
表面黏著式
PG-HDSOP-16-6
16-PowerSOP 模組
IMLT65R033M2HXTMA1
IMLT65R050M2HXTMA1
SICFET N-CH 650V 47A HDSOP-16
Infineon Technologies
1,327
庫存現貨
1 : NT$248.00000
切帶裝 (CT)
1,800 : NT$101.13000
編帶和捲軸封裝 (TR)
編帶和捲軸封裝 (TR)
切帶裝 (CT)
Digi-Reel®
有源
N 通道
SiCFET (碳化矽)
650 V
47 A (Tc)
15V、18V
62ミリオーム @ 18.2A、18V
5.6V @ 3.7mA
22 nC @ 18 V
+23V、-7V
790 pF @ 400 V
-
227W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
表面黏著式
PG-HDSOP-16-6
16-PowerSOP 模組
1,402
庫存現貨
1 : NT$270.00000
切帶裝 (CT)
1,000 : NT$113.38200
編帶和捲軸封裝 (TR)
編帶和捲軸封裝 (TR)
切帶裝 (CT)
Digi-Reel®
有源
N 通道
SiCFET (碳化矽)
650 V
41 A (Tc)
15V、20V
62ミリオーム @ 18.2A、18V
5.6V @ 3.7mA
22 nC @ 18 V
+23V、-7V
790 pF @ 400 V
-
172W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
表面黏著式
PG-TO263-7-12
TO-263-8、D2PAK (7 引線 + 接片)、TO-263CA
IMLT65R033M2HXTMA1
IMLT65R040M2HXTMA1
SICFET N-CH 650V 57A HDSOP-16
Infineon Technologies
1,168
庫存現貨
1 : NT$279.00000
切帶裝 (CT)
1,800 : NT$118.39000
編帶和捲軸封裝 (TR)
編帶和捲軸封裝 (TR)
切帶裝 (CT)
Digi-Reel®
有源
N 通道
SiCFET (碳化矽)
650 V
57 A (Tc)
15V、18V
49ミリオーム @ 22.9A、18V
5.6V @ 4.6mA
28 nC @ 18 V
+23V、-7V
997 pF @ 400 V
-
268W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
表面黏著式
PG-HDSOP-16-6
16-PowerSOP 模組
435
庫存現貨
1 : NT$284.00000
管裝
管裝
有源
N 通道
SiCFET (碳化矽)
650 V
38 A (Tc)
15V、20V
46mOhm @ 18.2A、20V
5.6V @ 3.7mA
22 nC @ 18 V
+23V、-7V
790 pF @ 400 V
-
153W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
通孔式
PG-TO247-3-40
TO-247-3
252
庫存現貨
1 : NT$294.00000
管裝
管裝
有源
N 通道
SiCFET (碳化矽)
650 V
38 A (Tc)
15V、20V
46mOhm @ 18.2A、20V
5.6V @ 3.7mA
22 nC @ 18 V
+23V、-7V
790 pF @ 400 V
-
153W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
通孔式
PG-TO247-4-8
TO-247-4
616
庫存現貨
1 : NT$491.00000
切帶裝 (CT)
1,000 : NT$248.45600
編帶和捲軸封裝 (TR)
編帶和捲軸封裝 (TR)
切帶裝 (CT)
Digi-Reel®
有源
N 通道
SiCFET (碳化矽)
650 V
91 A (Tc)
15V、20V
24ミリオーム @ 46.9A、18V
5.6V @ 9.5mA
57 nC @ 18 V
+23V、-7V
2038 pF @ 400 V
-
326W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
表面黏著式
PG-TO263-7-12
TO-263-8、D2PAK (7 引線 + 接片)、TO-263CA
199
庫存現貨
1 : NT$595.00000
管裝
管裝
有源
N 通道
SiCFET (碳化矽)
650 V
93 A (Tc)
15V、20V
13.2mOhm @ 64.2A、20V
5.6V @ 13mA
79 nC @ 18 V
+23V、-7V
2792 pF @ 400 V
-
341W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
通孔式
PG-TO247-3-40
TO-247-3
27
庫存現貨
1 : NT$313.00000
管裝
管裝
有源
N 通道
SiCFET (碳化矽)
650 V
46 A (Tc)
15V、20V
36mOhm @ 22.9A、20V
5.6V @ 4.6mA
28 nC @ 18 V
+23V、-7V
997 pF @ 400 V
-
172W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
通孔式
PG-TO247-3-40
TO-247-3
85
庫存現貨
1 : NT$496.00000
管裝
管裝
有源
N 通道
SiCFET (碳化矽)
650 V
83 A (Tc)
15V、20V
18mOhm @ 46.9A、20V
5.6V @ 9.5mA
57 nC @ 18 V
+23V、-7V
2038 pF @ 400 V
-
273W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
通孔式
PG-TO247-3-40
TO-247-3
0
庫存現貨
查看前置時間
1 : NT$324.00000
管裝
管裝
有源
N 通道
SiCFET (碳化矽)
650 V
46 A (Tc)
15V、20V
36mOhm @ 22.9A、20V
5.6V @ 4.6mA
28 nC @ 18 V
+23V、-7V
997 pF @ 400 V
-
172W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
通孔式
PG-TO247-4-8
TO-247-4
顯示
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單一 FET、MOSFET

單一場效電晶體 (FET) 與金屬氧化物半導體場效電晶體 (MOSFET) 均屬於電晶體類型，可用於放大或切換電子訊號。

單一 FET 的運作方式是透過施加在閘極的電壓所產生的電場，控制源極與汲極之間的電流流動。FET 的主要優點是高輸入阻抗值，這使其非常適合用於訊號放大和類比電路。它們廣泛應用於電子電路中的放大器、振盪器、緩衝級等場合。

MOSFET 是 FET 的一個子類型，其閘極與通道之間由薄氧化層絕緣，可提升元件效能並使其高效率運作。MOSFET 可進一步分為兩類：

MOSFET 因其低功耗、高速切換、處理大電流和電壓的能力，而在許多應用中受到青睞。它們在數位與類比電路中扮演關鍵角色，包括電源供應器、馬達驅動器、無線射頻應用。

MOSFET 的運作可分為兩種模式：

  • 增強模式：在此模式下，當閘源電壓為零時，MOSFET 通常處於關斷狀態。需施加正閘源電壓 (對於 n 通道型) 或負閘源電壓 (對於 p 通道型) 才能導通。
  • 空乏模式：在此模式下，當閘源電壓為零時，MOSFET 通常處於導通狀態。施加極性相反的閘源電壓即可將其關斷。

MOSFET 具有多種優勢，例如：

  1. 高效率：它們消耗的功率非常少，而且可以快速切換狀態，這使得它們對於電源管理應用來說非常有效率。
  2. 低導通電阻：導通時具有低電阻，可將功率損耗與熱生成降至最低。
  3. 高輸入阻抗：絕緣閘極結構使其具有極高輸入阻抗，非常適合高阻抗訊號放大應用。

總結來說，單一 FET，尤其是 MOSFET，是現代電子的重要元件，以其高效率、高速、多功能性著稱，應用範圍廣泛，從低功率訊號放大到高功率切換與控制皆適用。