單一 FET、MOSFET

結果 : 18
汲極至源極電壓 (Vdss)
25 V30 V34 V40 V55 V60 V75 V80 V85 V100 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
190mA (Ta)13 A (Ta)、53 A (Tc)17 A (Ta)、71 A (Tc)17 A (Ta)、85 A (Tc)24 A (Ta)、100 A (Tc)30 A (Tc)39 A (Ta)、180 A (Tc)45 A (Tc)50 A (Tc)70 A (Tc)80 A (Tc)95 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)
4.5V、10V6V、10V10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
1.2mOhm @ 30A、10V2.7mOhm @ 55A、10V2.9mOhm @ 50A、10V4.5mOhm @ 30A、10V5.1mOhm @ 30A、10V5.2mOhm @ 80A、10V5.3mOhm @ 30A、10V5.7mOhm @ 30A、10V6.4mOhm @ 95A、10V6.5mOhm @ 70A、10V7mOhm @ 73A、10V7.5mOhm @ 50A、10V8.3mOhm @ 20A、10V9.1mOhm @ 50A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2V @ 100µA2V @ 250µA2V @ 40µA2V @ 50µA2V @ 80µA2.2V @ 11µA2.2V @ 250µA2.3V @ 13µA3.5V @ 33µA3.5V @ 73µA3.8V @ 91µA4V @ 125µA4V @ 130µA4V @ 26µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
0.6 nC @ 10 V10 nC @ 4.5 V18 nC @ 10 V22 nC @ 5 V25 nC @ 5 V25 nC @ 10 V29 nC @ 10 V32 nC @ 10 V34 nC @ 10 V35 nC @ 10 V41 nC @ 5 V56 nC @ 10 V57 nC @ 5 V68 nC @ 10 V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
20.9 pF @ 25 V1600 pF @ 30 V1730 pF @ 40 V1800 pF @ 15 V2350 pF @ 25 V2550 pF @ 25 V2653 pF @ 15 V2700 pF @ 15 V3110 pF @ 15 V3140 pF @ 25 V3840 pF @ 40 V4750 pF @ 37.5 V5090 pF @ 15 V6690 pF @ 40 V
功率耗散 (最大值)
500mW (Ta)2.2W (Ta)、36W (Tc)2.3W (Ta)、42W (Tc)2.5W (Ta)、50W (Tc)2.8W (Ta)、78W (Tc)2.8W (Ta)、89W (Tc)36W (Tc)58W (Tc)68W (Tc)79W (Tc)83W (Tc)94W (Tc)136W (Tc)150W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TJ)-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
表面黏著式通孔式
供應商元件封裝
MG-WDSON-2、CanPAK M™PG-SOT23-3-5PG-TDSON-8-1PG-TO220-3PG-TO220-3-1PG-TO252-3PG-TO252-3-11PG-TO252-3-23PG-TO262-3PG-TO263-3-2
封裝/外殼
3-WDSON8-PowerTDFNTO-220-3TO-236-3、SC-59、SOT-23-3TO-252-3、DPAK (2 引線 + 接片)、SC-63TO-262-3 長引線、I2PAK、TO-262AATO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
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環境選項
媒體
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製造商零件編號
現有數量
價格
系列
包裝
產品狀態
FET 類型
技術
汲極至源極電壓 (Vdss)
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)
Rds On (最大值) @ Id、Vgs
Vgs(th) (最大值) @ Id
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
Vgs (最大值)
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds
FET 特點
功率耗散 (最大值)
工作溫度
安裝類型
供應商元件封裝
封裝/外殼
INFINFBF799
BSS119NH7796
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Infineon Technologies
10,000
市場
6,918 : NT$1.27681
散裝
散裝
有源
N 通道
MOSFET (金氧)
100 V
190mA (Ta)
4.5V、10V
6Ohm @ 190mA、10V
2.3V @ 13µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
20.9 pF @ 25 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
表面黏著式
PG-SOT23-3-5
TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
INFINFBF799
BSS119NH7978XTSA1
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Infineon Technologies
15,000
市場
2,597 : NT$3.83057
散裝
散裝
有源
N 通道
MOSFET (金氧)
100 V
190mA (Ta)
4.5V、10V
6Ohm @ 190mA、10V
2.3V @ 13µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
20.9 pF @ 25 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
表面黏著式
PG-SOT23-3-5
TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
TEXTISCSD86336Q3DT
BSC884N03MSG
N-CHANNEL POWER MOSFET
Infineon Technologies
9,149
市場
799 : NT$12.13016
散裝
散裝
有源
N 通道
MOSFET (金氧)
34 V
17 A (Ta)、85 A (Tc)
4.5V、10V
4.5mOhm @ 30A、10V
2V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 15 V
-
2.5W (Ta)、50W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
表面黏著式
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
N-CHANNEL  POWER MOSFET
BSF083N03LQG
N-CHANNEL POWER MOSFET
Infineon Technologies
6,000
市場
717 : NT$13.40586
散裝
散裝
有源
N 通道
MOSFET (金氧)
30 V
13 A (Ta)、53 A (Tc)
4.5V、10V
8.3mOhm @ 20A、10V
2.2V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 15 V
-
2.2W (Ta)、36W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
表面黏著式
MG-WDSON-2、CanPAK M™
3-WDSON
MC78M05BTG
IPP230N06L3G
N-CHANNEL POWER MOSFET
Infineon Technologies
9,620
市場
693 : NT$13.72583
散裝
散裝
有源
N 通道
MOSFET (金氧)
60 V
30 A (Tc)
4.5V、10V
23mOhm @ 30A、10V
2.2V @ 11µA
10 nC @ 4.5 V
±20V
1600 pF @ 30 V
-
36W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
通孔式
PG-TO220-3
TO-220-3
N-CHANNEL  POWER MOSFET
BSB053N03LPG
N-CHANNEL POWER MOSFET
Infineon Technologies
5,000
市場
693 : NT$13.72583
散裝
散裝
有源
N 通道
MOSFET (金氧)
30 V
17 A (Ta)、71 A (Tc)
4.5V、10V
5.3mOhm @ 30A、10V
2.2V @ 250µA
29 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 15 V
-
2.3W (Ta)、42W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
表面黏著式
MG-WDSON-2、CanPAK M™
3-WDSON
IRG4RC10UTRPBF
IPD06N03LAG
N-CHANNEL POWER MOSFET
Infineon Technologies
25,570
市場
611 : NT$15.64157
散裝
散裝
有源
N 通道
MOSFET (金氧)
25 V
50 A (Tc)
4.5V、10V
5.7mOhm @ 30A、10V
2V @ 40µA
22 nC @ 5 V
±20V
2653 pF @ 15 V
-
83W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
表面黏著式
PG-TO252-3-11
TO-252-3、DPAK (2 引線 + 接片)、SC-63
MJD32CTF-ON
IPF05N03LAG
N-CHANNEL POWER MOSFET
Infineon Technologies
22,500
市場
547 : NT$17.55576
散裝
散裝
有源
N 通道
MOSFET (金氧)
25 V
50 A (Tc)
4.5V、10V
5.1mOhm @ 30A、10V
2V @ 50µA
25 nC @ 5 V
±20V
3110 pF @ 15 V
-
94W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
表面黏著式
PG-TO252-3-23
TO-252-3、DPAK (2 引線 + 接片)、SC-63
SGP15N60XKSA1
IPP139N08N3G
N-CHANNEL POWER MOSFET
Infineon Technologies
11,261
市場
495 : NT$19.47071
散裝
散裝
有源
N 通道
MOSFET (金氧)
80 V
45 A (Tc)
6V、10V
13.9mOhm @ 45A、10V
3.5V @ 33µA
25 nC @ 10 V
±20V
1730 pF @ 40 V
-
79W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
通孔式
PG-TO220-3
TO-220-3
TEXTISCSD86336Q3DT
BSC029N025SG
N-CHANNEL POWER MOSFET
Infineon Technologies
4,999
市場
371 : NT$25.85445
散裝
散裝
有源
N 通道
MOSFET (金氧)
25 V
24 A (Ta)、100 A (Tc)
4.5V、10V
2.9mOhm @ 50A、10V
2V @ 80µA
41 nC @ 5 V
±20V
5090 pF @ 15 V
-
2.8W (Ta)、78W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
表面黏著式
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
IRG4RC10UTRPBF
IPB03N03LAG
N-CHANNEL POWER MOSFET
Infineon Technologies
703
市場
297 : NT$32.23906
散裝
散裝
有源
N 通道
MOSFET (金氧)
25 V
80 A (Tc)
4.5V、10V
2.7mOhm @ 55A、10V
2V @ 100µA
57 nC @ 5 V
±20V
7027 pF @ 15 V
-
150W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
表面黏著式
PG-TO263-3-2
TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
5,508
市場
278 : NT$34.47482
散裝
散裝
有源
N 通道
MOSFET (金氧)
30 V
39 A (Ta)、180 A (Tc)
4.5V、10V
1.2mOhm @ 30A、10V
2.2V @ 250µA
169 nC @ 10 V
±20V
16900 pF @ 15 V
-
2.8W (Ta)、89W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
表面黏著式
MG-WDSON-2、CanPAK M™
3-WDSON
ONSONSNTSB30100CTG
IPD50N04S308ATMA1
IPD50N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
Infineon Technologies
125,808
市場
434 : NT$22.02535
散裝
散裝
有源
N 通道
MOSFET (金氧)
40 V
50 A (Tc)
10V
7.5mOhm @ 50A、10V
4V @ 40µA
35 nC @ 10 V
±20V
2350 pF @ 25 V
-
68W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
表面黏著式
PG-TO252-3
TO-252-3、DPAK (2 引線 + 接片)、SC-63
49,890
市場
304 : NT$31.60197
散裝
散裝
有源
N 通道
MOSFET (金氧)
40 V
70 A (Tc)
10V
6.5mOhm @ 70A、10V
4V @ 26µA
32 nC @ 10 V
±20V
2550 pF @ 25 V
-
58W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
通孔式
PG-TO220-3-1
TO-220-3
MC78M05BTG
SPP80N06S209
N-CHANNEL POWER MOSFET
Infineon Technologies
894
市場
400 : NT$23.94000
散裝
散裝
有源
N 通道
MOSFET (金氧)
55 V
80 A (Tc)
10V
9.1mOhm @ 50A、10V
4V @ 125µA
80 nC @ 10 V
±20V
3140 pF @ 25 V
-
190W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
通孔式
PG-TO220-3-1
TO-220-3
MC78M05BTG
IPP070N08N3G
N-CHANNEL POWER MOSFET
Infineon Technologies
609
市場
400 : NT$23.94000
散裝
散裝
有源
N 通道
MOSFET (金氧)
80 V
80 A (Tc)
6V、10V
7mOhm @ 73A、10V
3.5V @ 73µA
56 nC @ 10 V
±20V
3840 pF @ 40 V
-
136W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
通孔式
PG-TO220-3
TO-220-3
ISL9N302AS3
IPI052NE7N3G
N-CHANNEL POWER MOSFET
Infineon Technologies
396
市場
396 : NT$26.17424
散裝
散裝
有源
N 通道
MOSFET (金氧)
75 V
80 A (Tc)
10V
5.2mOhm @ 80A、10V
3.8V @ 91µA
68 nC @ 10 V
±20V
4750 pF @ 37.5 V
-
150W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
通孔式
PG-TO262-3
TO-262-3 長引線、I2PAK、TO-262AA
SGP15N60XKSA1
IPP08CNE8NG
N-CHANNEL POWER MOSFET
Infineon Technologies
425
市場
315 : NT$30.32381
散裝
散裝
有源
N 通道
MOSFET (金氧)
85 V
95 A (Tc)
10V
6.4mOhm @ 95A、10V
4V @ 130µA
99 nC @ 10 V
±20V
6690 pF @ 40 V
-
167W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
通孔式
PG-TO220-3
TO-220-3
顯示
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單一 FET、MOSFET


離散場效電晶體 (FET) 廣泛用於電源轉換、馬達控制、固態照明和其他應用中。在這類應用中,此元件載流容量較大,且具備高頻開關的特性,這對此類應用相當有利。這類電晶體幾乎可通用於額定電壓需求為幾百伏特或以下的應用,若超過此電壓限值,其他元件類型 (如 IGBT) 則更具競爭力。