47 A (Tc) 單一 FET、MOSFET

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製造商零件編號	現有數量	價格	系列	包裝	產品狀態	FET 類型	技術	汲極至源極電壓 (Vdss)	電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	Rds On (最大值) @ Id、Vgs	Vgs(th) (最大值) @ Id	閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	Vgs (最大值)	輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	FET 特點	功率耗散 (最大值)	工作溫度	等級	資格	安裝類型	供應商元件封裝	封裝／外殼
BSC094N06LS5ATMA1 MOSFET N-CHANNEL 60V 47A 8TDSON Infineon Technologies	12,979 庫存現貨	1 : NT$48.00000 切帶裝 (CT) 5,000 : NT$11.41460 編帶和捲軸封裝 (TR)	OptiMOS™	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	有源	N 通道	MOSFET (金氧)	60 V	47 A (Tc)	4.5V、10V	9.4mOhm @ 24A、10V	2.3V @ 14µA	9.4 nC @ 4.5 V	±20V	1300 pF @ 30 V	-	36W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	表面黏著式	PG-TDSON-8-6	8-PowerTDFN
IRLZ44NPBF MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB Infineon Technologies	6,558 庫存現貨	1 : NT$58.00000 管裝	HEXFET®	管裝	有源	N 通道	MOSFET (金氧)	55 V	47 A (Tc)	4V、10V	22mOhm @ 25A、10V	2V @ 250µA	48 nC @ 5 V	±16V	1700 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta)、110W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	通孔式	TO-220AB	TO-220-3
IRLZ44NSTRLPBF MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK Infineon Technologies	2,116 庫存現貨	1 : NT$68.00000 切帶裝 (CT) 800 : NT$21.57125 編帶和捲軸封裝 (TR)	HEXFET®	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	不適用於新設計	N 通道	MOSFET (金氧)	55 V	47 A (Tc)	4V、10V	22mOhm @ 25A、10V	2V @ 250µA	48 nC @ 5 V	±16V	1700 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta)、110W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	表面黏著式	D2PAK	TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
SI7848BDP-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	4,655 庫存現貨	1 : NT$123.00000 切帶裝 (CT) 3,000 : NT$40.67767 編帶和捲軸封裝 (TR)	TrenchFET®	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	有源	N 通道	MOSFET (金氧)	40 V	47 A (Tc)	4.5V、10V	9mOhm @ 16A、10V	3V @ 250µA	50 nC @ 10 V	±20V	2000 pF @ 20 V	-	4.2W (Ta)、36W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	表面黏著式	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SI7848BDP-T1-E3 MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	26,365 庫存現貨	1 : NT$127.00000 切帶裝 (CT) 3,000 : NT$42.71133 編帶和捲軸封裝 (TR)	TrenchFET®	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	有源	N 通道	MOSFET (金氧)	40 V	47 A (Tc)	4.5V、10V	9mOhm @ 16A、10V	3V @ 250µA	50 nC @ 10 V	±20V	2000 pF @ 20 V	-	4.2W (Ta)、36W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	表面黏著式	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
FQP47P06 MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3 onsemi	1,736 庫存現貨	1 : NT$142.00000 管裝	QFET®	管裝	有源	P 通道	MOSFET (金氧)	60 V	47 A (Tc)	10V	26mOhm @ 23.5A、10V	4V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±25V	3600 pF @ 25 V	-	160W (Tc)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	通孔式	TO-220-3	TO-220-3
SPW47N60C3FKSA1 MOSFET N-CH 650V 47A TO247-3 Infineon Technologies	8,394 庫存現貨	1 : NT$391.00000 管裝	CoolMOS™	管裝	有源	N 通道	MOSFET (金氧)	650 V	47 A (Tc)	10V	70mOhm @ 30A、10V	3.9V @ 2.7mA	320 nC @ 10 V	±20V	6800 pF @ 25 V	-	415W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	通孔式	PG-TO247-3-1	TO-247-3
IMW65R027M1HXKSA1 MOSFET 650V NCH SIC TRENCH Infineon Technologies	1,016 庫存現貨	1 : NT$414.00000 管裝	CoolSIC™ M1	管裝	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	650 V	47 A (Tc)	18V	34mOhm @ 38.3A、18V	5.7V @ 11mA	62 nC @ 18 V	+23V、-5V	2131 pF @ 400 V	-	189W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	通孔式	PG-TO247-3-41	TO-247-3
FCH47N60F-F133 MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3 onsemi	450 庫存現貨 22,050 原廠	1 : NT$445.00000 管裝	SuperFET™	管裝	有源	N 通道	MOSFET (金氧)	600 V	47 A (Tc)	10V	70mOhm @ 23.5A、10V	5V @ 250µA	270 nC @ 10 V	±30V	8000 pF @ 25 V	-	417W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	通孔式	TO-247-3	TO-247-3
C3M0045065J1 650V 45 M SIC MOSFET Wolfspeed, Inc.	395 庫存現貨	1 : NT$453.00000 管裝	C3M™	管裝	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	650 V	47 A (Tc)	15V	60 毫欧 @ 17.6A、15V	3.6V @ 4.84mA	61 nC @ 15 V	+19V、-8V	1621 pF @ 400 V	-	147W (Tc)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	表面黏著式	TO-263-7	TO-263-8、D2PAK (7 引線 + 接片)、TO-263CA
UJ4C075033K4S 750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T onsemi	2,868 庫存現貨	1 : NT$490.00000 管裝	-	管裝	有源	N 通道	SiCFET (疊接式 SiCJFET)	750 V	47 A (Tc)	12V	41mOhm @ 30A、12V	6V @ 10mA	37.8 nC @ 15 V	±20V	1400 pF @ 400 V	-	242W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	通孔式	TO-247-4	TO-247-4
UF3SC120040B7S 1200V/40MOHM, SIC, STACKED FAST onsemi	3,857 庫存現貨 1,600 原廠	1 : NT$1,039.00000 切帶裝 (CT) 800 : NT$664.67000 編帶和捲軸封裝 (TR)	-	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	有源	N 通道	SiCFET (疊接式 SiCJFET)	1200 V	47 A (Tc)	12V	45mOhm @ 35A、12V	6V @ 10mA	43 nC @ 12 V	±25V	1500 pF @ 100 V	-	214W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	表面黏著式	D2PAK-7	TO-263-8、D2PAK (7 引線 + 接片)、TO-263CA
MCG8D8N04YL-TP N-CHANNEL MOSFET,DFN3333 MCC (Micro Commercial Components)	43,880 庫存現貨	1 : NT$15.00000 切帶裝 (CT) 5,000 : NT$3.09180 編帶和捲軸封裝 (TR)	-	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	有源	N 通道	MOSFET (金氧)	40 V	47 A (Tc)	4.5V、10V	8.8mOhm @ 35A、10V	2.5V @ 250µA	12 nC @ 10 V	±20V	682 pF @ 30 V	-	32W (Tj)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	表面黏著式	DFN3333	8-VDFN 裸焊盤
PHB47NQ10T,118 MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK Nexperia USA Inc.	6,264 庫存現貨	1 : NT$83.40053 切帶裝 (CT) 800 : NT$27.92750 編帶和捲軸封裝 (TR)	TrenchMOS™	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	有源	N 通道	MOSFET (金氧)	100 V	47 A (Tc)	10V	28mOhm @ 25A、10V	4V @ 1mA	66 nC @ 10 V	±20V	3100 pF @ 25 V	-	166W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	表面黏著式	D2PAK	TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
PHB45NQ10T,118 MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK Nexperia USA Inc.	1,558 庫存現貨	1 : NT$85.00000 切帶裝 (CT) 800 : NT$28.61625 編帶和捲軸封裝 (TR)	TrenchMOS™	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	有源	N 通道	MOSFET (金氧)	100 V	47 A (Tc)	10V	25mOhm @ 25A、10V	4V @ 1mA	61 nC @ 10 V	±20V	2600 pF @ 25 V	-	150W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	表面黏著式	D2PAK	TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
FQB47P06TM-AM002 MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK onsemi	1,205 庫存現貨 800 原廠	1 : NT$151.00000 切帶裝 (CT) 800 : NT$55.84750 編帶和捲軸封裝 (TR)	QFET®	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	有源	P 通道	MOSFET (金氧)	60 V	47 A (Tc)	10V	26mOhm @ 23.5A、10V	4V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±25V	3600 pF @ 25 V	-	3.75W (Ta)、160W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	表面黏著式	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
IMLT65R050M2HXTMA1 SICFET N-CH 650V 47A HDSOP-16 Infineon Technologies	1,680 庫存現貨	1 : NT$224.00000 切帶裝 (CT) 1,800 : NT$91.50000 編帶和捲軸封裝 (TR)	CoolSiC™ Gen 2	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	有源	N 通道	SiCFET (碳化矽)	650 V	47 A (Tc)	15V、18V	62ミリオーム @ 18.2A、18V	5.6V @ 3.7mA	22 nC @ 18 V	+23V、-7V	790 pF @ 400 V	-	227W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	表面黏著式	PG-HDSOP-16-6	16-PowerSOP 模組
SIHG47N65E-GE3 MOSFET N-CH 650V 47A TO247AC Vishay Siliconix	500 庫存現貨	1 : NT$295.00000 管裝	-	管裝	有源	N 通道	MOSFET (金氧)	650 V	47 A (Tc)	10V	72mOhm @ 24A、10V	4V @ 250µA	273 nC @ 10 V	±30V	5682 pF @ 100 V	-	417W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	通孔式	TO-247AC	TO-247-3
IGLT65R035D2ATMA1 IGLT65R035D2ATMA1 Infineon Technologies	1,390 庫存現貨	1 : NT$325.00000 切帶裝 (CT) 1,800 : NT$149.77833 編帶和捲軸封裝 (TR)	CoolGaN™	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	有源	N 通道	GaNFET (氮化鎵)	650 V	47 A (Tc)	-	-	1.6V @ 4.2mA	7.7 nC @ 3 V	-10V	540 pF @ 400 V	-	154W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	表面黏著式	PG-HDSOP-16-8	16-PowerSOP 模組
SIHW47N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD Vishay Siliconix	198 庫存現貨	1 : NT$340.00000 管裝	-	管裝	有源	N 通道	MOSFET (金氧)	600 V	47 A (Tc)	10V	64mOhm @ 24A、10V	4V @ 250µA	220 nC @ 10 V	±20V	9620 pF @ 100 V	-	357W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	通孔式	TO-247AD	TO-3P-3 全封裝
FCA47N60 MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN onsemi	804 庫存現貨	1 : NT$417.00000 管裝	SuperFET™	管裝	有源	N 通道	MOSFET (金氧)	600 V	47 A (Tc)	10V	70mOhm @ 23.5A、10V	5V @ 250µA	270 nC @ 10 V	±30V	8000 pF @ 25 V	-	417W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	通孔式	TO-3PN	TO-3P-3、SC-65-3
UJ4C075033K3S 750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T onsemi	512 庫存現貨	1 : NT$475.00000 管裝	-	管裝	有源	N 通道	SiCFET (疊接式 SiCJFET)	750 V	47 A (Tc)	12V	41mOhm @ 30A、12V	6V @ 10mA	37.8 nC @ 15 V	±20V	1400 pF @ 400 V	-	242W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	通孔式	TO-247-3	TO-247-3
TPH3R203NL,L1Q MOSFET N-CH 30V 47A 8SOP Toshiba Semiconductor and Storage	4,754 庫存現貨	1 : NT$59.00000 切帶裝 (CT) 5,000 : NT$14.72520 編帶和捲軸封裝 (TR)	U-MOSVIII-H	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	有源	N 通道	MOSFET (金氧)	30 V	47 A (Tc)	4.5V、10V	3.2mOhm @ 23.5A、10V	2.3V @ 300µA	21 nC @ 10 V	±20V	2100 pF @ 15 V	-	1.6W (Ta)、44W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	表面黏著式	8-SOP Advance (5x5)	8-PowerVDFN
HUF76429S3ST MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK onsemi	2,753 庫存現貨	1 : NT$86.00000 切帶裝 (CT) 800 : NT$28.98125 編帶和捲軸封裝 (TR)	UltraFET™	編帶和捲軸封裝 (TR) 切帶裝 (CT) Digi-Reel®	有源	N 通道	MOSFET (金氧)	60 V	47 A (Tc)	4.5V、10V	22mOhm @ 47A、10V	3V @ 250µA	46 nC @ 10 V	±16V	1480 pF @ 25 V	-	110W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	表面黏著式	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB
SIHB053N60E-GE3 E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO- Vishay Siliconix	820 庫存現貨	1 : NT$226.00000 管裝	E	管裝	有源	N 通道	MOSFET (金氧)	600 V	47 A (Tc)	10V	54mOhm @ 26.5A、10V	5V @ 250µA	92 nC @ 10 V	±30V	3722 pF @ 100 V	-	278W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	表面黏著式	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3、D2PAK (2 引線 + 接片)、TO-263AB

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單一 FET、MOSFET

單一場效電晶體 (FET) 與金屬氧化物半導體場效電晶體 (MOSFET) 均屬於電晶體類型，可用於放大或切換電子訊號。

單一 FET 的運作方式是透過施加在閘極的電壓所產生的電場，控制源極與汲極之間的電流流動。FET 的主要優點是高輸入阻抗值，這使其非常適合用於訊號放大和類比電路。它們廣泛應用於電子電路中的放大器、振盪器、緩衝級等場合。

MOSFET 是 FET 的一個子類型，其閘極與通道之間由薄氧化層絕緣，可提升元件效能並使其高效率運作。MOSFET 可進一步分為兩類：

n 通道 MOSFET：以電子為主要載子。
p 通道 MOSFET：以電洞為主要載子。

MOSFET 因其低功耗、高速切換、處理大電流和電壓的能力，而在許多應用中受到青睞。它們在數位與類比電路中扮演關鍵角色，包括電源供應器、馬達驅動器、無線射頻應用。

MOSFET 的運作可分為兩種模式：

增強模式：在此模式下，當閘源電壓為零時，MOSFET 通常處於關斷狀態。需施加正閘源電壓 (對於 n 通道型) 或負閘源電壓 (對於 p 通道型) 才能導通。
空乏模式：在此模式下，當閘源電壓為零時，MOSFET 通常處於導通狀態。施加極性相反的閘源電壓即可將其關斷。

MOSFET 具有多種優勢，例如：

高效率：它們消耗的功率非常少，而且可以快速切換狀態，這使得它們對於電源管理應用來說非常有效率。
低導通電阻：導通時具有低電阻，可將功率損耗與熱生成降至最低。
高輸入阻抗：絕緣閘極結構使其具有極高輸入阻抗，非常適合高阻抗訊號放大應用。

總結來說，單一 FET，尤其是 MOSFET，是現代電子的重要元件，以其高效率、高速、多功能性著稱，應用範圍廣泛，從低功率訊號放大到高功率切換與控制皆適用。

單一 FET、MOSFET

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