HMC1126 GaAs pHEMT 低雜訊放大器

Analog Devices 的 HMC1126 GaAs pHEMT 低雜訊放大器的工作頻率範圍為 400 MHz 至 52 GHz

Analog Devices 的 HMC1126 GaAs pHEMT 低雜訊放大器的圖片ADI 的 HMC1126ACEZ 是一款砷化鎵 (GaAs)、擬態高電子遷移率電晶體 (pHEMT)、單晶微波積體電路 (MMIC)、分佈式功率放大器,工作頻率範圍為 0.4 GHz 至 52 GHz。HMC1126ACEZ 放大器的輸入/輸出在內部匹配至 50 Ω,有助於整合到多晶片模組 (MCM)。所有數據皆由晶片取得,由兩條直徑 0.025 mm (1 mil)、最短長度 0.31 mm (12 mil) 的銲線接合。

HMC1126-EVALZ 是一塊用於評估 HMC1126ACEZ 的四層印刷電路板 (PCB)。頂層和第一內層之間的基板為 12 mil 厚,由 Rogers 4003C 製成。HMC1126-EVALZ 上的 RFIN 和 RFOUT 連接埠裝有 1.85 mm 同軸連接器母座,而相對應的 RF 走線具有 50 Ω 的特性阻抗值。HMC1126-EVALZ 裝有適合在 HMC1126ACEZ 的整個 -40°C 至 +85°C 工作溫度範圍內使用的組件。

特點
  • 廣頻高達 52 GHz
  • 12 dB 增益
  • 3.5 dB 雜訊指數
  • 28.5 dBm 輸出 IP3,比典型放大器高 10 dB
應用
  • 航太與國防:電子戰
  • 儀表:測試設備
  • 通訊:5G
  • 測試儀器
  • 微波無線電和 VSAT
  • 軍事和太空
  • 電信基礎架構
  • 光纖

HMC1126 GaAs, pHEMT, Low Noise Amplifier

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發佈日期: 2022-03-11