HMC8411 低雜訊放大器
Analog Devices 的 GaAs、MMIC、pHEMT、低雜訊廣頻放大器的工作頻率為 0.01 GHz 至 10 GHz
 Analog Devices 的 HMC8411LP2FE 是一款砷化鎵 (GaAs)、單晶微波積體電路 (MMIC)、擬態高電子遷移率電晶體 (pHEMT)、低雜訊廣頻放大器,工作頻率範圍為 0.01 GHz 至 10 GHz。它提供的典型增益為 15.5 dB,典型雜訊指數為 1.7 dB,典型輸出三階截距 (OIP3) 為 34 dBm,僅需從 5 V 電源電壓獲得 55 mA 的電流。19.5 dBm (典型值) 的飽和輸出功率 (PSAT) 讓這款低雜訊放大器 (LNA) 能夠作為局部振盪器 (LO) 驅動器,適用於 Analog Devices 的多款平衡、同相/正交 (I/Q) 或鏡像抑制混頻器。
Analog Devices 的 HMC8411LP2FE 是一款砷化鎵 (GaAs)、單晶微波積體電路 (MMIC)、擬態高電子遷移率電晶體 (pHEMT)、低雜訊廣頻放大器,工作頻率範圍為 0.01 GHz 至 10 GHz。它提供的典型增益為 15.5 dB,典型雜訊指數為 1.7 dB,典型輸出三階截距 (OIP3) 為 34 dBm,僅需從 5 V 電源電壓獲得 55 mA 的電流。19.5 dBm (典型值) 的飽和輸出功率 (PSAT) 讓這款低雜訊放大器 (LNA) 能夠作為局部振盪器 (LO) 驅動器,適用於 Analog Devices 的多款平衡、同相/正交 (I/Q) 或鏡像抑制混頻器。
HMC8411LP2FE 還具有內部匹配至 50 Ω 的輸入和輸出,使該元件非常適合基於表面黏著技術 (SMT) 的大蓄電量微波無線電應用。它採用符合 RoHS 指令的 2 mm × 2 mm、6 引線 LFCSP 封裝。EV1HMC8411LP2F 評估板是雙層板,採用 Rogers 4350 製成,並運用高頻 RF 設計的最佳做法。RF 輸入和 RF 輸出走線具有 50 Ω 的特性阻抗值。
- 低雜訊指數:1.7 dB 典型值
- 單正電源 (自偏壓)
- 高增益:15.5 dB 典型值
- 高 OIP3:34 dBm 典型值
- 6 引線、2 mm × 2 mm LFCSP
- 軍用溫度範圍 (-55°C 至 +125°C)
- 測試儀器
- 軍事通訊
HMC8411 Low-Noise Amplifier
| 圖片 | 製造商零件編號 | 說明 | 現有數量 | 價格 | 查看詳情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|  |  | HMC8411LP2FE | IC RF AMP GPS 10MHZ-10GHZ 6LFCSP | 1485 - 即時供貨 | $2,278.00 | 查看詳情 | 
|  |  | HMC8411LP2FETR | IC RF AMP GPS 10MHZ-10GHZ 6LFCSP | 1848 - 即時供貨 | $2,278.00 | 查看詳情 | 
Evaluation Board
| 圖片 | 製造商零件編號 | 說明 | 類型 | 頻率 | 內含項目 | 現有數量 | 價格 | 查看詳情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  |  | EV1HMC8411LP2F | EVAL BOARD FOR HMC8411LP2FE | 放大器 | 10MHz ~ 10GHz | 板件 | 19 - 即時供貨 | $23,867.00 | 查看詳情 | 
 
                 
                 
                 
 
 
 
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