HyperFlash™ NOR 快閃記憶體

Infineon 的 HyperFlash 系列產品是高速、CMOS、MirrorBit® NOR 快閃記憶體元件，具有 HyperBus、低訊號數、雙倍數據傳輸率 (DDR) 介面，能達到高速讀取傳輸量。 DDR 通訊協定能在每次時脈週期傳輸兩個數據位元組的數據 (DQ) 訊號。 HyperFlash 的讀取或寫入存取包含在 HyperFlash 內部核心進行的一系列 16 位元寬單一時脈週期數據傳輸，以及在 DQ 訊號上進行的兩個對應 8 位元寬半時脈週期數據傳輸。

數據和命令／位址資訊都會以 DDR 速率透過 8 位元數據匯流排傳輸。 接收 DQ 訊號的命令／位址／數據資訊時，HyperFlash 元件可利用時脈輸入訊號進行訊號擷取。 讀寫數據閃控 (RWDS) 是 HyperFlash 的輸出，表示數據正由記憶體傳輸到主機。 在讀取操作的數據傳輸期間，RWDS 會參考 CK 的正緣和負緣。 命令／位址／寫入數據值會跟時脈緣置中對齊，讀取數據值則與 RWDS 的轉換進行邊緣對齊。

HyperFlash 元件的讀取與寫入操作採用突發式。 讀取操作可指定使用環繞突發或線性突發。 在環繞操作期間，存取動作會在選定的位置展開，然後依據群組環繞順序持續在設定的位置數進行。 在線性操作期間，存取動作會在選定的位置展開，然後以循序方式繼續進行，直到 CS# 返回高位而讀取操作終止為止。 寫入作業會傳輸一或多個 16 位元值。

HyperFlash 系列包含多種密度、1.8 V 或 3.0 V 核心和 I/O、非揮發性、同步快閃記憶體元件。 這些元件符合最高標準，包括汽車 AEC-Q100 認證，並支援 -40°C 至 125°C 溫度範圍。