EPC2111 30 V eGaN® 電晶體半橋
EPC 的 EPC2111 增強型 GaN 功率電晶體半橋可提高效率和功率密度
 EPC 的 30 V eGaN 半橋 EPC2111 將兩個 eGaN 功率 FET 整合到一個元件中,可提高效率和功率密度,同時降低最終用戶電源轉換系統的組裝成本。EPC2111 採用晶片尺寸封裝,可提高開關速度和散熱效能,僅為 3.5 mm x 1.5 mm,可提高功率密度。此元件的主要應用是筆記型電腦和平板電腦運算。GaN 的高頻能力可縮小功率轉換所需的尺寸,因此有助於大幅縮小次世代行動運算的尺寸。
EPC 的 30 V eGaN 半橋 EPC2111 將兩個 eGaN 功率 FET 整合到一個元件中,可提高效率和功率密度,同時降低最終用戶電源轉換系統的組裝成本。EPC2111 採用晶片尺寸封裝,可提高開關速度和散熱效能,僅為 3.5 mm x 1.5 mm,可提高功率密度。此元件的主要應用是筆記型電腦和平板電腦運算。GaN 的高頻能力可縮小功率轉換所需的尺寸,因此有助於大幅縮小次世代行動運算的尺寸。
- 高頻能力
- 單晶片整合,因此沒有互連電感,可在更高頻率下達到更高效率
- 高效率
- 更低傳導與切換損耗、零逆向復原損耗
- 小型覆蓋區
- 低電感值、極小型、3.5 mm x 1.55 mm BGA 表面黏著鈍化晶粒
- 高頻率 DC/DC 電源轉換
- 筆記型和平板電腦運算
 
                 
                 
                 
 
 
 
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