GeneSiC Semiconductor

碳化矽功率肖特基二極體

GeneSiC 推出功率肖特基二極體，具有更佳的電路效率

GeneSiC Semiconductor 的碳化矽功率肖特基二極體圖片GeneSiC Semiconductor 推出碳化矽功率肖特基二極體。 此產品具有更佳的電路效率（更低的整體成本）、低切換損耗、可輕鬆並聯元件（不會發生熱燒毀）、更小的散熱片需求、低逆向復原電流、低元件電容量，以及在工作溫度下低逆向漏電流的特性。 此兩款產品提供 1200 V 操作，採用 TO-252 封裝，26 nC 時提供 2 A 電流，在 35 nC 時則為5 A。

特點
  • 1200 V肖特基整流器
  • 最高工作溫度：175°C
  • 不受溫度影響的切換動作
  • 優異的突波電流承受能力
  • Vf 正溫度係數
  • 極快速切換
  • 優越的效能指數 Qc/If
應用
  • 功率因數校正 (PFC)
  • 切換式電源供應器 (SMPS)
  • 太陽能逆變器
  • 風力發電機逆變器
  • 馬達驅動
  • 感應加熱
  • 高電壓倍增器

Silicon Carbide Power Schottky Diodes

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DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A TO252GB01SLT12-252DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A TO2520 - 即時供貨$45.00查看詳情

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發佈日期： 2013-02-06