碳化矽肖特基二極體

GeneSiC Semiconductor 推出碳化矽功率肖特基二極體

Image of GeneSiC's Silicon Carbide Schottky DiodeGeneSiC Semiconductor 推出碳化矽功率肖特基二極體。 本產品的優勢在於具有更佳的電路效率(更低的整體成本)、低切換損耗、可輕鬆並聯元件(不會發生熱燒毀)、更小的散熱片需求、低逆向復原電流、低元件電容量,以及在工作溫度下低逆向漏電流的特性。 在 1200 V 時,可選擇 1 A (13 nC) 或 5 A (35 nC) 的電流,並採用 TO-220AC 封裝。 此兩款產品皆符合 RoHS 指令。

特點
  • 1200 V肖特基整流器
  • 最高工作溫度:175°C
  • 不受溫度影響的切換動作
  • 優異的突波電流承受能力
  • Vf 正溫度係數
  • 極快速切換
  • 優越的效能指數 Qc/If
應用
  • 功率因數校正 (PFC)
  • 切換式電源供應器 (SMPS)
  • 太陽能逆變器
  • 風力發電機逆變器
  • 馬達驅動
  • 感應加熱
  • 不斷電系統 (UPS)
  • 高電壓倍增器

Arrays

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DIODE ARR SIC 1200V 90A TO247-3GC2X20MPS12-247DIODE ARR SIC 1200V 90A TO247-30 - 即時供貨$472.48查看詳情
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Single

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DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AAGAP3SLT33-214DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AA2679 - 即時供貨$443.00查看詳情
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更新日期: 2019-02-19
發佈日期: 2013-02-05