GeneSiC Semiconductor

碳化矽電晶體

GeneSiC Semiconductor 的碳化矽超級接面電晶體

GeneSiC Semiconductor 的碳化矽電晶體圖片GeneSiC Semiconductor 推出常關碳化矽超級接面電晶體。 本產品的優勢包括低切換損耗、更高效率、耐高溫操作以及高短路耐受能力。 在 1700 V 下，提供 500 mΩ RDS(on) 的 4 A 電流或 250 mΩ RDS(on) 的 8 A 電流選項。 產品皆符合 RoHS 指令，並且採用 TO-247AB 封裝。

特點
  • 最高工作溫度為 170°C
  • 不受溫度影響的切換效能
  • 無閘極氧化層的 SiC 開關
  • 適用於連接反並聯二極體
  • 正溫度係數，可輕鬆並聯
  • 低閘極電荷
  • 低固有電容量
應用
  • 航太與國防應用
  • 鑽油、地熱儀器
  • 油電車 (HEV)
  • 太陽能逆變器
  • 切換式電源供應器 (SMPS)
  • 功率因數校正 (PFC)
  • 感應加熱
  • 不斷電系統 (UPS)
  • 馬達驅動

Silicon Carbide Transistor

圖片製造商零件編號說明現有數量價格
TRANS SJT 1700V 4A TO247ABGA04JT17-247TRANS SJT 1700V 4A TO247AB0 - 即時供貨$715.30查看詳情
TRANS SJT 1700V 8A TO247ABGA08JT17-247TRANS SJT 1700V 8A TO247AB0 - 即時供貨$1,659.50查看詳情
發佈日期： 2013-02-05