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低延遲 DRAM
GSI Technology 的 LLDRAM 可實現以往只能從 SRAM 獲得的存取速率
GSI Technology 低延遲 DRAM (LLDRAM) 是高速記憶體元件，設計用於網路和電信應用中常見的高位址速率數據處理。8 Bank 架構和低 tRC 可實現以往只能從 SRAM 獲得的存取速率。
特點
- 與 Micron RLDRAM® II 引腳相容及功能相容
- 533 MHz DDR 操作 (1.067 Gbps/引腳數據傳輸率)
- 38.4 Gbps 峰值頻寬 (533 MHz 時脈頻率下為 x36)
- 提供 x36、x18 和 x9 組織
- 八個內部儲存區，用於並行操作和最大頻寬
- 循環時間更短 (533 MHz 時為 15 ns)
- 位址多工處理 (提供非多工處理的位址選項)
- SRAM 型介面
- 可編程讀取延遲 (RL)、排循環時間和突衝序列長度
- 平衡的讀寫延遲可最佳化數據匯流排利用率
- 用於寫入命令的數據遮罩
- 差動輸入時脈 (CK、CK)
- 差動輸入數據時脈 (DKx、DKx)
- 晶片上 DLL 可產生 CK 邊緣對齊數據和輸出數據時脈訊號
- 數據有效訊號 (QVLD)
- 32 ms 重新整理 (每個 Bank 各 8 K 重新整理；每 32 ms 總共必須發出 64 K 重新整理命令)
- 144 球 μBGA 封裝
- HSTL I/O (1.5 V 或 1.8 V 標稱)
- 25 Ω 至 60 Ω 匹配阻抗值輸出
- 2.5 V VEXT、1.8 V VDD、1.5 V 或 1.8 V VDDQ I/O
- 晶片上端子 (ODT) RTT
- 商業和工業溫度
應用
- 查找表
- 佇列緩衝
- 影像處理
發佈日期： 2020-10-23
