No Bus Turnaround (NBT™) SRAM

GSI Technology 的 NBT SRAM 是同步、可突發傳輸記憶體,旨在使用數據匯流排的最大頻寬

GSI Technology 的 No Bus Turnaround (NBT™) SRAM 圖片GSI Technology 的 NBT SRAM 超過 15 年來皆為中階數據採集設計的主力軍,並提供各種密度、封裝和設計選項。這些 SRAM 亦隨附長期記憶體 IC 支援方案。

NBT SRAM 是採用簡化介面的同步、可突發傳輸記憶體,旨在使用數據匯流排的最大頻寬。NBT 元件不需要回轉週期 (讀、寫操作之間的閒置時脈週期)。

NBT SRAM 適用於需要中階效能點的網路、工業、汽車和醫學成像應用。

特點
  • NBT 功能支援零等待讀寫讀匯流排利用率
  • 與管線式 (Pipeline) 和流穿式 (Flow Through) NtRAM™、NoBL™ 和 ZBT™ SRAM 完全引腳相容
  • 2.5 V 或 3.3 V ±10% 核心電源
  • 2.5 V 或 3.3 V I/O 電源
  • 使用者可設定的管線式和流穿模式
  • IEEE 1149.1 JTAG 相容邊界掃描
  • ZQ 模式引腳,使用者可選擇高/低輸出驅動
  • LBO 引腳用於線性或交錯突衝模式
  • 與 4 Mb、9 Mb、18 Mb、36 Mb 和 72 Mb 元件引腳相容
  • 位元組寫入操作 (9 位元位元組)
  • 三個晶片致能訊號,便於深度擴展
  • ZZ 引腳可自動斷電
  • 符合 RoHS 指令
  • 119、165 凸塊 BGA 及 100 引線 TQFP 封裝
應用
  • 網路
  • 工業
  • 車輛
  • 醫療造影

No Bus Turnaround (NBT™) SRAMs

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發佈日期: 2020-08-17