同步突衝 SRAM

GSI Technology 的 SRAM 具有多種密度、封裝和設計選項

GSI Technology 同步突衝 SRAM 的圖片GSI SyncBurst™ SRAM 超過 15 年來皆為中階數據採集設計的主力軍,並提供各種密度、封裝和設計選項。這些 SRAM 亦隨附長期記憶體 IC 支援方案。

SyncBurst SRAM 提供二到四個字的「突衝」來響應單個時脈訊號。SyncBurst SRAM 適用於需要中階效能點 (通常為 333 MHz 至 166 MHz 時脈速率) 的網路、工業、汽車和醫學成像應用。

特點
  • FT 引腳,用於使用者可設定的流通或管線式操作
  • 雙週期取消選擇 (DCD) 操作
  • 2.5 V 或 3.3 V ±10% 核心電源
  • 2.5 V 或 3.3 V I/O 電源
  • LBO 引腳用於線性或交錯突衝模式
  • 模式引腳上的內部輸入電阻支援浮動模式引腳
  • 預設為交錯管線式模式
  • 位元組寫入 (BW) 和/或全域寫入 (GW) 操作
  • 內部自動定時寫入週期
  • 可攜式應用自動斷電
  • 符合 RoHS 指令的 100 引線 TQFP 及 119 和 165 凸塊 BGA 封裝

應用

  • 網路
  • 汽車
  • 醫學成像

250 MHz SRAMs

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300 MHz SRAMs

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400 MHz SRAMs

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發佈日期: 2020-10-23