Renesas Electronics Corporation

低損耗超線性 RF 可變衰減器

Renesas 推出三款低損耗超線性 RF 可變衰減器產品，專用於寬頻通訊系統

Renesas 的低損耗超線性 RF 可變衰減器圖片Renesas 推出三款低損耗超線性 RF 可變衰減器產品。 Renesas 的 6 位元 F1912 和 7 位元 F1956 DSA 採用 Renesas 業界首見的突破性 Glitch-Free™ 技術，能在最高有效位元 (MSB) 轉換期間降低暫態「突波」達 95%，藉此消除傳送和／或接收路徑上的衰減設定過衝（突波）。 無突波響應能讓客戶簡化其軟體介面、提升可靠性、預防功率放大器等昂貴的子組件受損，並可限制數據轉換器輸入端超程。

F2250 是 VVA 系列首款元件，具有 50 MHz 至 6000 MHz 頻率範圍、2 GHz 時 1.4 dB 插入損耗、65 dBm 的高 IIP3I 線性度，以及 -40°C 至 105°C 的寬廣溫度範圍。 VMODE 功能能讓客戶選擇正或負衰減控制，並具有高度線性 dB 衰減特性。

F1912 特點
  • 序列和 6 位元平行介面
  • 31.5 dB 控制範圍
  • 0.5 dB 步階
  • Glitch-FreeTM 低暫態過衝
  • 3.0 V 至 5.25 V 電源
  • 1.8 V 或 3.3 V 控制邏輯
  • 衰減誤差在 2 GHz 時小於 0.22 dB
  • 低插入損耗在 2 GHz 時小於 1.6 dB
  • 超線性 IIP3 大於 +59.5 dBm
  • IIP2 典型值為 +110 dBm
  • 溫度變化下可維持穩定的積分非線性度
  • 低電流消耗，典型值為 550 μA
  • 工作溫度介於 -55°C 至 105°C
  • 4 mm x 4 mm 薄型 QFN 20 引腳封裝
F1956 特點
  • 序列和 7 位元平行介面
  • 31.75 dB 範圍
  • 0.25 dB 步階
  • Glitch-FreeTM 低暫態過衝
  • 500 ns 趨穩時間
  • 超線性 IIP3 大於 64 dBm
  • 低插入損耗在 4 GHz 時小於 1.7 dB
  • 衰減誤差在 4 GHz 時小於 ±0.2 dB
  • 3.3 V 或 5 V 電源
  • 1.8 V 或 3.3 V 控制邏輯
  • 工作溫度介於 -40°C 至 +105°C
F2250 特點
  • 低插入損耗：2000 MHz 時 1.4 dB
  • IIP3 典型值／最小值：65 dBm / 47 dBm
  • IIP2 典型值最小值：95 dBm / 87 dBm
  • 33.6 dB 衰減範圍
  • 雙向 RF 連接埠
  • +34.4 dBm 輸入 P1dB 壓縮
  • VMODE 引腳能進行正或負衰減控制響應
  • 線性 dB 衰減特性
  • 電源電壓：3.15 V 至 5.25 V
  • VCTRL 範圍：0 V 至 2.8 V
  • 最大工作溫度為 +105°C
  • 3 mm x 3 mm 16 引腳 TQFN 封裝
發佈日期： 2015-09-01