200 V OptiMOS™ 6 功率 MOSFET

Infineon 的 OptiMOS 6 200 V MOSFET 透過提供與上一代產品相比，在室溫下減少 42% 而在 +175°C 下減少了 53% 的 R_DS(on) 來滿足高功率密度、效率和可靠度的需求。較低的 Q_rr 和改善的電容線性度可提高切換效能。實際上，可以在不影響 EMI 的情況下降低傳導和切換損耗。這種技術具有改善過的安全工作區 (SOA) 功能，可提高保護開關應用中的 MOSFET 電流處理能力。同時，設計最佳化和生產精密度使這款可靠的高效能技術成為並聯應用的理想選擇。提供多種封裝選項，包括 PQFN 3.3 x 3.3、SuperSO8、D²PAK 三引腳型，D²PAK 七引腳型、TO 無引線型和 TO-220。與先前的技術相比，OptiMOS 6 具有顯著的效能優勢，例如低傳導和切換損耗、改善的 EMI、更少的並聯要求以及並聯時更好的分流能力。

KIT_LGPWR_BOM015 電源板模組在 D²PAK 封裝中採用 OptiMOS 6 功率 MOSFET 200 V，代表著低電壓驅動 (LVD) 可擴充型電源展示板平台的電源建構區塊。它可用作具有電源和閘極驅動互連的單一半橋式電路，可以輕鬆建造任何半橋式架構的電源拓撲。

採用 Infineon 的功率 MOSFET 系列 OptiMOS 的電源板之各種版本是以 D²PAK、D²PAK-7 和 TO 無引線封裝，展示了功率 MOSFET 在並聯架構和散熱行為方面的效能。