Infineon Technologies

600 V CoolMOS™ P7 功率電晶體

Infineon 的 600 V CoolMOS P7 SJ MOSFET 採用TO-247 4 引腳封裝，具有不對稱引線

Infineon Technologies 的 600 V CoolMOS P7 功率電晶體圖片Infineon 豐富的 600 V CoolMOS P7 SJ MOSFET 產品系列現在包括標準 TO-247 4 引腳封裝的改良版本。TO-247 4 引腳具有非對稱引線，在臨界引線之間的沿面距離增加了 0.54 mm，可達到更平滑的波峰焊接，並降低電路板良率損失。與源極 (開爾文連接) 的額外連接用作閘極驅動電壓的參考電位，消除了源極電感上的電壓壓降的影響，達到更快的切換暫態，進而大幅提高效率。因此可以達到更高的 MOSFET RDS(on) 使用和 BOM 成本節省。CoolMOS P7是 Infineon 的最優質的平衡技術，在易用性和最高能效達到最佳平衡。

TO-247 4 引腳概念 (TO-247 與 TO-247 4 引腳的比較)

Infineon Technologies 的 600 V CoolMOS P7 功率電晶體的圖片

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  • CGS放電觸發的 MOSFET 的 Re-turnon
  • 效率低下
  • 上述模擬導致 Eon 的 130 μJ 損失
  
  • 由第 4 引腳確保乾淨的波形
  • 開啟損耗減少超過 2 倍
  • 上述模擬使用 TO-247 4 引腳，可減少一半的損耗，Eon 為 63 µJ
優點   特點
  • 適用於硬和軟切換 (PFC 和 LLC)
  • 透過低振鈴趨勢和跨 PFC 和 PWM 級的使用，易於使用和快速導入設計
  • 低切換和傳導損耗，可簡化熱管理
  • ESD 保護大於 2 kV，因此具有製造品質更高
  • 使用具有更小覆蓋區的產品，達到更高的功率密度解決方案
  • 適用於各種應用和功率範圍
  • 降低寄生源極電感對閘極電路的影響，達到更快的切換和更高的效率
  • 利用開爾文源效率的優勢，可以使用更高的MOSFET RDS(on)，並降低 BOM 成本
  • 沿面距離滿足 5000 m 的高度要求
  • 更容易由客戶設計
  • 不對稱引線可簡化波峰焊接並改善電路板良率損失
  
  • 出色的換向耐用性
  • 效率和易用性之間平衡的最佳化
  • 顯著降低切換和傳導損耗
  • 所有產品均具有出色的 ESD 穩定性，大於 2 kV (HBM)
  • 更好的R DS（on） /封裝產品與低R DS（on） x A（低於1Ωxmm 2 )
  • 具有多種細分的 RDS(on) 選項，適用於多種工業和消費級應用
  • 第 4 引腳 (開爾文源)
  • 增加高壓引腳之間的沿面距離
  • 閘極訊號最佳化
  • 不對稱引線會增加臨界引腳距離
應用    
  • 電信
  • 伺服器
  
  • 太陽能
  • 工業

600 V CoolMOS™ P7 Power Transistors

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發佈日期： 2018-08-14