CoolGaN™ BDS 高效率 40 V GaN 電源解決方案

Infineon Technologies CoolGaN BDS 高效率 40 V GaN 電源解決方案是專為新一代低電壓設計而打造

Infineon Technologies CoolGaN™ BDS 高效率 40 V GaN 電源解決方案的圖片Infineon Technologies CoolGaN BDS 40 V G3 系列將氮化鎵 (GaN) 技術的優勢導入低電壓電源應用,相較於傳統矽 MOSFET,可大幅降低切換損耗、提供超高切換速度,並提升整體效率。這些元件針對高頻運作進行了最佳化,讓設計人員能在縮小系統尺寸的同時,維持卓越的效能。

CoolGaN BDS 40 V G3 產品組合旨在支援多種電源轉換拓撲,提供低 RDS(on)、低閘極電荷、優異的效能指數 (FOM)。這種組合可以實現更高的功率密度、更佳的熱效率,讓這些元件成為緊湊型高效能設計的理想選擇。

為了加速開發,Infineon 提供評估板與公版設計,協助工程師快速實作並驗證基於 CoolGaN 的解決方案,進而加快產品上市時程、降低設計複雜度。

特點
  • 低 RDS(on),可降低導通損耗
  • 超低閘極電荷 (Qg)
  • 高速切換能力
  • 與矽 MOSFET 相比,具備較低的切換損耗
  • 優異的 FOM (RDS(on) x Qg)
  • 針對高頻運作進行最佳化
  • 提供小巧封裝選項,適用於空間受限的設計
  • 效能穩健可靠
優勢
  • 更高的系統效率、更低的能源消耗
  • 透過較高的切換頻率,實現更小的系統尺寸
  • 更低的熱生成、更佳的熱管理
  • 提高功率密度
  • 降低被動元件尺寸與成本
  • 提升整體系統效能
應用
  • 負載點 (POL) 轉換器
  • 同步降壓轉換器
  • 電池供電式系統
  • 低電壓馬達驅動器 (風扇、幫浦)
  • 機器人與無人機
  • 伺服器與電信電源傳輸
  • 消費性電子產品

CoolGaN™ BDS High-Efficiency 40 V GaN Power Solutions

圖片製造商零件編號說明Rds On (最大值) @ Id、Vgs閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds現有數量價格查看詳情
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發佈日期: 2026-04-13