CoolGaN™ BDS 高效率 40 V GaN 電源解決方案
Infineon Technologies CoolGaN BDS 高效率 40 V GaN 電源解決方案是專為新一代低電壓設計而打造
Infineon Technologies CoolGaN BDS 40 V G3 系列將氮化鎵 (GaN) 技術的優勢導入低電壓電源應用,相較於傳統矽 MOSFET,可大幅降低切換損耗、提供超高切換速度,並提升整體效率。這些元件針對高頻運作進行了最佳化,讓設計人員能在縮小系統尺寸的同時,維持卓越的效能。
CoolGaN BDS 40 V G3 產品組合旨在支援多種電源轉換拓撲,提供低 RDS(on)、低閘極電荷、優異的效能指數 (FOM)。這種組合可以實現更高的功率密度、更佳的熱效率,讓這些元件成為緊湊型高效能設計的理想選擇。
為了加速開發,Infineon 提供評估板與公版設計,協助工程師快速實作並驗證基於 CoolGaN 的解決方案,進而加快產品上市時程、降低設計複雜度。
- 低 RDS(on),可降低導通損耗
- 超低閘極電荷 (Qg)
- 高速切換能力
- 與矽 MOSFET 相比,具備較低的切換損耗
- 優異的 FOM (RDS(on) x Qg)
- 針對高頻運作進行最佳化
- 提供小巧封裝選項,適用於空間受限的設計
- 效能穩健可靠
- 更高的系統效率、更低的能源消耗
- 透過較高的切換頻率,實現更小的系統尺寸
- 更低的熱生成、更佳的熱管理
- 提高功率密度
- 降低被動元件尺寸與成本
- 提升整體系統效能
- 負載點 (POL) 轉換器
- 同步降壓轉換器
- 電池供電式系統
- 低電壓馬達驅動器 (風扇、幫浦)
- 機器人與無人機
- 伺服器與電信電源傳輸
- 消費性電子產品
CoolGaN™ BDS High-Efficiency 40 V GaN Power Solutions
| 圖片 | 製造商零件編號 | 說明 | Rds On (最大值) @ Id、Vgs | 閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 現有數量 | 價格 | 查看詳情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | IGK048B041SXTSA1 | GANFET N-CH 40V 53A 16WLBGA | 4.8mOhm @ 5A、5V | 9.1 nC @ 5 V | 600 pF @ 20 V | 3964 - 即時供貨 | $49.00 | 查看詳情 |
![]() | ![]() | IGK120B041SXTSA1 | GANFET N-CH 40V 30A 16WLBGA | 12mOhm @ 5A、5V | 4.4 nC @ 5 V | 290 pF @ 20 V | 3975 - 即時供貨 | $23.00 | 查看詳情 |



