CoolSiC™ Easy 2B 電源模組

當使用碳化矽 (SiC) 半導體取代矽晶 IGBT 時，可以有更高的工作溫度和切換頻率，提高整體系統效率。Infineon CoolSiC MOSFET 採用工藝極緻的溝槽式半導體技術，經過最佳化，可實現在應用中最低的損耗和運作中最高的可靠度。

除了離散式解決方案外，Infineon 還提供多種封裝的 CoolSiC MOSFET 電源模組，包括 Easy 1B、Easy 2B 封裝，以及 Easy 3B、62 mm、EconoDUAL™ 封裝。提供多種配置，包括三階式、半橋、全橋、sixpack 等。對於尋求彈性、可擴充型電源模組解決方案的客戶來說，Easy 系列是最佳選擇，具有非常低的模組雜散電感、更寬的最大閘極源極電壓。Infineon 提供最廣泛的無底板封裝產品組合，高度為 12 mm。靈活的引腳網格系統非常適合自訂佈局和引腳配置。

FF4MR12W2M1H_B70 EasyDUAL™ 2B CoolSiC MOSFET 半橋模組 (1,200 V、4 mΩ) 與 FF6MR20W2M1H_B70 EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET 半橋模組 (2,000 V、6 mΩ) 採用先進的溝槽式技術，具備優異的閘極氧化層可靠性，並實現同級最佳的切換損耗與導通損耗。兩款模組皆內建 NTC 溫度感測器，採用 PressFIT 觸點技術，並使用氮化鋁陶瓷材料。