Infineon Technologies

CoolSiC™ G2 1200 V 碳化矽 MOSFET 離散元件

Infineon CoolSiC G2 MOSFET 可加速成本最佳化、高效率、小巧且可靠的解決方案的系統設計

Infineon Technologies CoolSiC™ G2 1200 V 碳化矽 MOSFET 離散元件的圖片Infineon 碳化矽 (SiC) CoolSiC MOSFET 採用最先進的溝槽式半導體製程，經過最佳化，可實現應用的最低損耗、運作的最高可靠性。離散式 CoolSiC MOSFET 產品組合提供 650 V、750 V、1,200 V、1,700 V、2,000 V 等級，導通電阻額定值為 7 mΩ 至 1,000 mΩ。CoolSiC 溝槽式技術支援靈活的參數集，可在對應的產品組合中實作特定於應用的功能，例如閘極源極電壓、突崩規格、短路能力或適用於硬換向的內部本體二極體。

離散式 CoolSiC 1,200 V G2 MOSFET 目前提供三種不同的封裝，全面承襲第一代技術的優勢，並在此基礎上大幅提升，提供先進的解決方案來實現更具成本效益、更高效率、更緊湊、設計更簡單、更可靠的系統。第二代大幅提高了硬切換、軟切換拓撲的關鍵效能指數，適用於 AC/DC、DC/DC、DC/AC 級的所有常見組合。

提供兩種 TO-247 四引腳封裝款式 (標準 TO-247 四引腳封裝與 TO-247 四引腳 HC 封裝)，以供客戶根據設計需求選購。TO-247 四引腳封裝具備加長沿面距離、纖細訊號引線、開爾文引腳設計，可防止形成錫橋，並擁有最佳化的熱介面材料 (TIM) 區域，以提升散熱效能。標準 TO-247-4 封裝可與市面上大多數封裝產品的引腳相容。 亦提供採用 TO-263-7 (D²PAK-7L) 封裝的元件，適合高功率應用，專為低導通電阻、高速切換的 MOSFET 而設計。TO-263-7 封裝提供小於 7 mm 的沿面距離與間隙，有助於在 PCB 設計中降低隔離設計的難度。

頂部冷卻式 Q-DPAK 開創了冷卻、能效、設計靈活性、效能的新時代，專為廣泛的工業應用而設計。Q-DPAK 封裝的 CoolSiC MOSFET G2 元件具備優異的散熱效能，可簡化組裝流程，進而協助客戶降低系統成本。與底部冷卻解決方案相比，頂部冷卻元件可實現更佳的 PCB 佈局，從而減少寄生元件和雜散電感的影響，同時還提供增強的熱管理能力。Q-DPAK 封裝可用於雙半橋和單開關 MOSFET。

CoolSiC G2 與 G1 的比較
  • 更佳的晶片效能：與典型的負載使用案例相比，功率損耗降低 5% 至 20%
  • 更佳的 .XT 封裝互連：熱阻 Rth(j-c) 效率提高 12%
  • 優秀的 RDS(ON) 和精細的產品組合：G2 為 8 mΩ，而 G1 為 30 mΩ，12 款產品提供最佳的產品選擇
  • G2 高達 Tvj = 200 的過載操作和突崩穩健性
  • G2 高溫下的最大 RDS(ON)
  • 穩健的短路額定值：2 µs
  • 擴大的最大閘極源極電壓：-10 V 至 +23 V
  • 高可靠性：維持 G1 經過實證的水準，極低的 DPM 率
CoolSiC 離散式 MOSFET G2 系列
    Infineon CoolSiC™ 離散式 MOSFET G2 系列的圖片 

REF-DR3KIMBGSIC2MA SiC 公版設計由兩個 PCB 組成，其中包含驅動器電路、用於伺服馬達和驅動器的三相逆變器。優點包括高功率密度、無需冷卻風扇的被動冷卻，以及 PCB 直徑僅為 110 mm 的超小覆蓋區。按一下此處即可存取 Infineon 專屬的公版設計資料庫。

特點與優勢
  • 高效率，減少冷卻工作
  • 使用壽命更長，可靠性更高
  • 更高頻率的操作
  • 降低系統成本
  • 提高功率密度
  • 降低系統複雜度
  • 容易設計和實作
應用
  • 伺服器
  • 電信
  • 馬達驅動
  • 車載充電器／PFC
  • 輔助逆變器
  • UPS 系統
  • 儲能系統／太陽能
  • 快速 EV 充電
  • SMPS

IMZC120R0xxM2HXKSA1 CoolSiC G2 MOSFET Discretes

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IMBG120RxxxM2HXTMA1 CoolSiC G2 MOSFET Discretes

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IMSQ120RxxMA1 CoolSiC G2 MOSFET Discretes

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更新日期： 2025-04-30
發佈日期： 2024-04-10