工業和延伸測試 DDR2 SDRAM

NDB16P 是高速 CMOS DDR2 同步 DRAM，採用 Insignis 專屬的延伸測試流程，減輕早期壽命故障，確保頂級品質，並針對工業用途提供長期可靠的連接。這些元件專為符合 DDR2 DRAM 主要特點所設計，例如含附加延遲的前置 CAS#、寫入延遲為讀取延遲 -1，以及晶片上端子 (ODT)。

所有控制和位址輸入透過一對外接差動時脈達到同步。輸入在差動時脈的交叉點鎖存 (CK 上升及 CK# 下降)。所有 I/O 會都以一對雙向選通 (DQS 和 DQS#)，以來源同步方式進行同步。

以交錯式方式進行記憶庫作業，能隨機存取操作，達到比標準 DRAM 更高的傳輸率。可以啟用自動預先充電功能，在突發序列結束時提供自行定時的行列預先充電。依據突發長度、CAS 延遲，以及元件的速度等級，可提供有順序且無隙的數據傳輸率。