ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

DDR4 DRAM

ISSI 的 4 Gb DRAM 採用 96 球 BGA 封裝，提供長生命週期支援和世界一流的品質

ISSI 的 DDR4 DRAM 圖片ISSI 的 4 Gb DDR4 元件採用 256 Mb x 16 形式、96 球 BGA 封裝，工作電壓為 1.2 V。ISSI 的 DDR4 提供先進網路、汽車和工業系統所需的低功率、高頻寬、高效能和高可靠性。這是 ISSI 的第一款 DDR4 DRAM，更加拓展 ISSI 廣泛的 DRAM 產品選擇。ISSI 為 DDR4 提供汽車、工業、通訊和其他市場區隔中，客戶應用所需的長生命週期產品支援。

特點
  • 標準電壓︰VDD = VDDQ = 1.2 V、VPP = 2.5 V
  • 數據完整性
    • DRAM 內建 TS 自動自行重整 (ASR)
    • 自動重新整理和自我預先充電
  • DRAM 存取頻寬
    • 根據記憶體群組 (bank group) 的分離 IO 閘控結構
    • 自行重整中止
    • 細粒度重整
  • 可靠性和錯誤處理
    • 命令／位址奇偶檢驗
    • 數據匯流排寫入 CRC
    • MPR 讀數
    • 邊界掃描 (x16)
  • 節電和效率
    • POD 與 VDDQ 終止
    • 命令／位址延遲 (CAL)
    • 最大功率節省
    • 低功率自動自行重整 (LPASR)
 
  • 訊號同步
    • 透過 MR 設定寫入均衡
    • 透過 MPR 讀取均衡
  • 訊號完整性
    • 內部 VREFDQ 訓練
    • Read Preamble 訓練
    • 減速模式
    • 每個 DRAM 的可尋址性
    • 可設定的 DS，用於系統相容性
    • 可設定的晶片上端子
    • 數據匯流排反轉 (DBI)
    • 透過外部 ZQ 墊片 (240 歐姆 ±1%) 進行 DS/ODT 阻抗準確度的 ZQ 校準
  • 工作溫度範圍
    • 商業l (Tc 為 0°C 至 +95°C)
    • 工業 (Tc 為 -40°C 至 +95°C)
    • 汽車，A1 (Tc 為 -40°C 至 +95°C)
    • 汽車，A2 (Tc 為 -40°C 至 +105°C)
    • 汽車，A3 (Tc 為 -40°C 至 +125°C)
應用
  • 汽車
    • 車用資訊娛樂
    • 遠距通訊
    • 駕駛資訊系統
  • 工業
    • 人機介面 (HMI)
    • 嵌入式運算
 
  • 電信／網路
    • SDN 和 NFV
    • 存取和匯集節點
    • 開關和路由器
    • 封包光學傳輸
    • 網路儲存裝置 (PON OLT、DSLAM、CMTS、無線)

DDR4 DRAM

圖片製造商零件編號說明工作溫度現有數量價格查看詳情
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發佈日期： 2019-08-14