ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

LPDDR4/4X 行動式 SDRAM

ISSI 的 LPDDR4/4X 使用雙倍數據傳輸率架構來達到高速的操作

ISSI 的 LPDDR4/4X 行動裝置用 SDRAM 的圖片ISSI 的 LPDDR4 和 LPDDR4X 是低電壓的記憶體元件，提供 2 Gb、4 Gb 和 8 Gb 的密度。這些元件按每個元件為 1/2 通道的方式進行組織，每個通道有 8 個記憶體組和 16 位元。LPDDR4 和 LPDDR4X 使用雙倍數據傳輸率架構來達到高速的操作。此雙倍數據傳輸率架構，本質上為一個 16N 預先擷取架構，其介面設計能在 I/O 引腳上以每個時脈週期傳輸兩個數據字組。

LPDDR4 和 LPDDR4X 提供完全同步的操作，參考時脈的正緣和負緣。數據路徑為內部管線式，且以 16n 位元預先擷取以達到極高的頻寬。LPDDR4 和 LPDDR4X 均具有可編程的讀寫延遲，以運行中可編程的突衝式讀寫長度爲之。這些元件的低電壓內核和 I/O 使它們成為行動應用的理想選擇。

特點
  • 低電壓
    • LPDDR4：1.8 V
    • LPDDR4X：1.1 V
  • 低電壓 I/O
    • LPDDR4：1.1 V
    • LPDDR4X：0.6 V
  • 10 MHz 至 1600 MHz 頻率範圍
  • 每個 I/O 數據傳輸率為 20 Mbps 至 3200 Mbps
  • 16N 預先擷取 DDR 架構
  • 每個通道含八個內部記憶體組，用於同時操作
  • 多工、雙倍數據傳輸率的指令／位址輸入
  • 行動式功能可降低功耗
  • 運行中可編程的突衝式長度 (BL=16 或 32)
  • 可編程的讀寫延遲
  • 晶片上溫度感測器可實現有效率的自我預先充電控制
  • ZQ 校準
  • 可調整的驅動強度
  • 局部陣列自我預先充電 (PASR)
  • 10 mm x 14.5 mm BGA-200 封裝
  • 時脈頻率：1.6 GHz
  • 記憶體格式：DRAM
  • 記憶體介面：並列式
  • 記憶體類型：揮發性
  • 安裝類型：表面黏著
  • 工作溫度：-40°C 至 95°C (TC)
  • 封裝／外殼：200-TFBGA 至 200-WFBGA
  • 技術：SDRAM 行動式 LPDDR4
  • 電源電壓：1.06 V 至 1.17 V、1.7 V 至 1.95 V
應用
  • 行動運算
  • 平板電腦

LPDDR4/4X Mobile SDRAM

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發佈日期： 2020-08-14