ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

序列式 NAND 快閃記憶體

ISSI 這款序列式 NAND 是 1 GB 以上密度的理想選擇，為基於 NOR 的解決方案提供一款更卓越的替代方案

ISSI 序列式 NAND 快閃記憶體的圖片 ISSI 這款序列式 NAND 快閃記憶體元件提供高密度相容於 SPI 的解決方案，支援 x1、x2 和 x4。這些元件的容量可高達 4 GB，可選擇 1.8 V 或 3.3 V 的運作方式，並且包括符合 AEC-Q100 標準的版本。溫度範圍擴展至高達+105°C，滿足嚴苛應用的需求。

特點
  • 序列式 NAND 比序列式 NOR 提供更快的燒錄和抹除時間，大大提高了系統效能
  • 封裝小巧，比傳統 ONFI NAND 快閃記憶體更小
  • 適用於需要支援汽車應用的 AEC-Q100 標準
  • 支援以 x1、x2 和 x4 的速度讀取快取記憶體
  • 頁面大小：2,176 位元組 (2,048 位元組 + 128 位元組)
  • 區塊大小：64 頁 (128 kB + 8 kB)
  • 高達 10 萬次的燒錄╱抹除動作
應用
  • 車用資訊娛樂
  • 儀表板
  • 工業級儀表
  • 工業級感測器
  • 機器對機器
  • 智慧型儀表
  • POS 終端機
  • 列印機

Serial NAND Flash

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發佈日期： 2025-02-25