300 V Ultra-Junction X3 等級 HiPerFET™ 功率 MOSFET
IXYS 的 300 V X3 等級功率 MOSFET 具有標竿導通電阻和閘極電荷效能指數
IXYS LLC 現為 Littelfuse 的一部分,推出新的功率半導體產品系列:300 V Ultra-Junction X3 級 HiPerFET 功率 MOSFET。此系列經過最佳化,導通電阻和閘極電荷分別低至 4.6 毫歐和 22 奈庫倫,適用於硬開關和軟開關電源轉換應用。
如同 IXYS 的其他超接面產品,這些新元件採用電荷補償原理和自行研發的製程技術開發,使功率 MOSFET 具有同級最佳的效能指數 (導通電阻乘以閘極電荷)。此系列具有業界最低的導通電阻 (例如,TO-264 封裝為 5.5 毫歐,SOT-227 為 4.6 毫歐),能達到電力系統中最高的功率密度和能源效率。
憑藉超低的逆向復原電荷和時間,快速本體二極體能夠在高速切換期間移除所有剩餘能量,以避免元件故障並達到高效率。此外,新型 MOSFET 具有優異的 dv/dt 效能 (高達 20 V/ns),以及突崩效能。因此,這些耐用的元件需要的緩衝器較少,並且可以用於硬開關或諧振功率轉換器。
目標應用包括用於電信電源的同步整流、馬達控制 (48 V 至 110 V 系統)、不斷電電源、高效能 D 類音訊放大器、DC-DC 轉換器、太陽能逆變器和多位準逆變器。
目前推出 25 個零件,這是業界最廣泛的 300 V Ultra-Junction MOSFET 產品系列。此系列產品皆採用以下國際標準尺寸封裝:TO-3P、TO220 (包覆成型或標準)、TO-247、PLUS247、TO-252、TO-263、TO-264、TO-268HV、SOT227。一些範例零件編號包括 IXFY26N30X3、IXFA38N30X3、IXFT150N30X3HV 和 IXFN210N30X3,電流額定值分別為 26 A、38 A、150 A 和 210 A。
資源
- 同級最佳導通電阻 RDS(on) 和閘極電荷 Qg 效能指數
- 快速回復本體二極體
- dv/dt 和高突崩耐用度
- 國際標準封裝
- 最高效率
- 高功率密度
- 容易納入設計
- 電信電源的同步整流
- 馬達控制 (48 V 至 110 V 系統)
- 不斷電系統 (UPS)
- 高效能的 D 類音訊放大器
- DC-DC 轉換器
- 太陽能逆變器
- 多位準逆變器
300V Ultra-Junction X3-Class Power MOSFETs
| 圖片 | 製造商零件編號 | 說明 | Rds On (最大值) @ Id、Vgs | 閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 供應商元件封裝 | 現有數量 | 價格 | 查看詳情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | IXFY26N30X3 | MOSFET N-CH 300V 26A TO252AA | 66mOhm @ 13A、10V | 22 nC @ 10 V | TO-252AA | 6418 - 即時供貨 | $201.00 | 查看詳情 |
![]() | ![]() | IXFX210N30X3 | MOSFET N-CH 300V 210A PLUS247-3 | 5.5mOhm @ 105A、10V | 375 nC @ 10 V | PLUS247™-3 | 573 - 即時供貨 | $1,190.00 | 查看詳情 |
![]() | ![]() | IXFT150N30X3HV | MOSFET N-CH 300V 150A TO268HV | 8.3mOhm @ 75A、10V | 254 nC @ 10 V | TO-268HV (IXFT) | 461 - 即時供貨 | $819.00 | 查看詳情 |
![]() | ![]() | IXFT120N30X3HV | MOSFET N-CH 300V 120A TO268HV | 11mOhm @ 60A、10V | 170 nC @ 10 V | TO-268HV (IXFT) | 346 - 即時供貨 | $683.00 | 查看詳情 |
![]() | ![]() | IXFT100N30X3HV | MOSFET N-CH 300V 100A TO268HV | 13.5mOhm @ 50A、10V | 122 nC @ 10 V | TO-268HV (IXFT) | 294 - 即時供貨 | $574.00 | 查看詳情 |





