300 V Ultra-Junction X3 等級 HiPerFET™ 功率 MOSFET

IXYS 的 300 V X3 等級功率 MOSFET 具有標竿導通電阻和閘極電荷效能指數

IXYS 的 300 V Ultra-Junction X3 等級功率 MOSFET 的圖片IXYS LLC 現為 Littelfuse 的一部分,推出新的功率半導體產品系列:300 V Ultra-Junction X3 級 HiPerFET 功率 MOSFET。此系列經過最佳化,導通電阻和閘極電荷分別低至 4.6 毫歐和 22 奈庫倫,適用於硬開關和軟開關電源轉換應用。

如同 IXYS 的其他超接面產品,這些新元件採用電荷補償原理和自行研發的製程技術開發,使功率 MOSFET 具有同級最佳的效能指數 (導通電阻乘以閘極電荷)。此系列具有業界最低的導通電阻 (例如,TO-264 封裝為 5.5 毫歐,SOT-227 為 4.6 毫歐),能達到電力系統中最高的功率密度和能源效率。

憑藉超低的逆向復原電荷和時間,快速本體二極體能夠在高速切換期間移除所有剩餘能量,以避免元件故障並達到高效率。此外,新型 MOSFET 具有優異的 dv/dt 效能 (高達 20 V/ns),以及突崩效能。因此,這些耐用的元件需要的緩衝器較少,並且可以用於硬開關或諧振功率轉換器。

目標應用包括用於電信電源的同步整流、馬達控制 (48 V 至 110 V 系統)、不斷電電源、高效能 D 類音訊放大器、DC-DC 轉換器、太陽能逆變器和多位準逆變器。

目前推出 25 個零件,這是業界最廣泛的 300 V Ultra-Junction MOSFET 產品系列。此系列產品皆採用以下國際標準尺寸封裝:TO-3P、TO220 (包覆成型或標準)、TO-247、PLUS247、TO-252、TO-263、TO-264、TO-268HV、SOT227。一些範例零件編號包括 IXFY26N30X3、IXFA38N30X3、IXFT150N30X3HV 和 IXFN210N30X3,電流額定值分別為 26 A、38 A、150 A 和 210 A。

資源

特點
  • 同級最佳導通電阻 RDS(on) 和閘極電荷 Qg 效能指數
  • 快速回復本體二極體
  • dv/dt 和高突崩耐用度
  • 國際標準封裝
優勢
  • 最高效率
  • 高功率密度
  • 容易納入設計
應用
  • 電信電源的同步整流
  • 馬達控制 (48 V 至 110 V 系統)
  • 不斷電系統 (UPS)
  • 高效能的 D 類音訊放大器
  • DC-DC 轉換器
  • 太陽能逆變器
  • 多位準逆變器

300V Ultra-Junction X3-Class Power MOSFETs

圖片製造商零件編號說明Rds On (最大值) @ Id、Vgs閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs供應商元件封裝現有數量價格查看詳情
MOSFET N-CH 300V 26A TO252AAIXFY26N30X3MOSFET N-CH 300V 26A TO252AA66mOhm @ 13A、10V22 nC @ 10 VTO-252AA6418 - 即時供貨$201.00查看詳情
MOSFET N-CH 300V 210A PLUS247-3IXFX210N30X3MOSFET N-CH 300V 210A PLUS247-35.5mOhm @ 105A、10V375 nC @ 10 VPLUS247™-3573 - 即時供貨$1,190.00查看詳情
MOSFET N-CH 300V 150A TO268HVIXFT150N30X3HVMOSFET N-CH 300V 150A TO268HV8.3mOhm @ 75A、10V254 nC @ 10 VTO-268HV (IXFT)461 - 即時供貨$819.00查看詳情
MOSFET N-CH 300V 120A TO268HVIXFT120N30X3HVMOSFET N-CH 300V 120A TO268HV11mOhm @ 60A、10V170 nC @ 10 VTO-268HV (IXFT)346 - 即時供貨$683.00查看詳情
MOSFET N-CH 300V 100A TO268HVIXFT100N30X3HVMOSFET N-CH 300V 100A TO268HV13.5mOhm @ 50A、10V122 nC @ 10 VTO-268HV (IXFT)294 - 即時供貨$574.00查看詳情
發佈日期: 2018-12-17