空乏模式 D2™ 功率 MOSFETs

IXYS/Littelfuse 的空乏模式 D2™ MOSFET 具有獨特特性，常用的增強模式對應型號無法複製。 有別於一般的 N 通道增強模式型，空乏模式功率 MOSFET 需零閘極偏壓以便啟動以及負閘極偏壓以便關閉，其餘特性則相似。 這些元件的「常開式」操作模式結合增強型線性工作能力，能達到理想的元件選項，包含電流源、穩流器、固態繼電器、位準移位、主動負載、啟動電路，以及有功功率濾波器。

這些元件提供 500 V 至 1000 V 的阻斷電壓、低至 500 mΩ（最大值）的導通電阻 (Rdson) ，以及高達 6 A 的汲極電流額定值。適用於離線應用中的線路介面時，可提供簡化的控制，並且降低線路電壓耗散。 由於這些元件無需能量或閘極電壓即可啟動，因此可在零功率「常開式」負載開關應用中達到高效能。 這些元件具有高度電流調節能力，也能在採用功率濾波器應用中作為具有高動態阻抗的主動電感，限制電壓和電流雜訊與尖波。 此外，這些元件能提供主動電路保護功能，在短路或過載情況中限制電流突波。