IXYS

200 V Ultra-Junction X3 等級 HiPerFET™ 功率 MOSFET

IXYS Corporation/Littelfuse 的功率半導體產品系列的額定電流範圍為 36 A 至 300 A

IXYS/Littelfuse Ultra-Junction X2 等級 HiPerFET 功率 MOSFET 圖片來自 IXYS Corporation/Littelfuse 的 200 V Ultra Junction X3 等級 HiPerFET™ MOSFET 的額定電流範圍為 36 A 至 300 A。以多種國際標準封裝，提供豐富的元件選擇。

這些 MOSFET 採用電荷補償原理和 IXYS/Littelfuse 自身的製程技術製造，具有目前業界最低的導通電阻 (例如 SOT-227 封裝為 3.5 mΩ，TO-264 封裝為 4 mΩ)。除了低至 21 奈庫倫的閘極電荷外，這些元件還可在各種高速功率轉換應用中達到高功率密度和能源效率。

此元件的快速本體二極體經過最佳化，具有低反向恢復電荷和時間，藉此抑制暫態並達到低雜訊、高效率的電源切換。此外，這些 MOSFET 具有突崩效能，並具有優異的 dv/dt 效能 (高達 20 V/ns)。

目標應用包括同步整流、輕型電動車 (​​LEV) 電池充電器、馬達控制 (48 V 至 110 V 系統)、DC-DC 轉換器、不斷電電源供應器、電動堆高機、逆變器、電源固態繼電器和 D 類音訊放大器。

應用
  • 輕型電動車 (LEV) 電池充電器
  • 同步整流
  • 電動堆高機
  • 馬達控制 (48 V 至 110 V 系統)
  • DC-DC 轉換器
  • D 類音訊放大器
  • 逆變器
  • 電源固態繼電器
特點
  • 低導通電阻 (RDS(ON))
  • 超低閘極電荷 (Qg)
  • 低雜訊、快速恢復本體二極體
  • dv/dt 耐受能力
  • 優異的突崩耐受能力
  • 國際標準封裝

200 V Ultra-Junction X2-Class HiPerFET™ Power MOSFETs

圖片製造商零件編號說明現有數量價格查看詳情
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發佈日期： 2018-12-03