650 V 與 1200 V IGBT

MCC 的 IGBT 提供卓越的電流傳導能力,具有低導通損耗和低切換損耗

MCC 的 650 V 與 1200 V IGBT 圖片MCC 的 IGBT 採用溝槽式場截止技術,可提供卓越的電流傳導能力、低導通損耗和低切換損耗。得力於正溫度係數,本產品支援並聯。操作相對容易,開關也十分簡單。由於產品種類繁多,工程師有更多選擇來為應用挑選合適的零件。

特點
  • 低 VCE(SAT) 可實現低導通損耗
  • 低 Eon/off 可實現低切換損耗
  • 高導電性
  • 包含快速、軟恢復反並聯 FWD
  • 正溫度係數
  • 輕鬆進行並聯
應用
  • 光電/太陽能逆變器
  • PFC 電路
  • UPS
  • 熔接機
  • 馬達控制電路
  • 電動壓縮機和加熱器

650 V and 1200 V IGBT

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發佈日期: 2022-10-24