採用多種封裝尺寸的 SiC 肖特基二極體系列 1200 V 汽車級 SiC 整流器

Micro Commercial Components 符合 AEC-Q101 標準的 1200 V SiC 肖特基能障二極體提供超低切換損耗、高溫功率轉換能力

MCC 採用 DPAK 及 TO-220AC 封裝的 1,200 V 汽車級 SiC 整流器的圖片Micro Commercial Components Gen4 1200 V 碳化矽 (SiC) 肖特基二極體系列是專為嚴苛電源系統打造的車規級 SiC 肖特基能障二極體,具備卓越的效率、極微小的逆向恢復電流、穩定的高溫運作表現。此系列提供 DPAK 及 TO-220AC 封裝,既支援小型表面黏著式設計,也支援需要強大散熱能力與電氣穩健性的高功率通孔應用。

這些元件採用先進的接面位障肖特基 (JBS) 技術,結合了肖特基二極體的快速切換特性,並強化漏電流控制與突波耐受力。本系列提供低至 1.38 V 的順向電壓、低至 0.1 µA 的漏電流、低至 10.2 nC 的電容電荷,並可在高達 +175°C 接面溫度下運作,使設計人員能降低切換損耗、提升效率,並改善功率因數校正階段、工業電源供應器、太陽能逆變器、電動車充電系統、馬達驅動器的功率密度。

特點
  • 零逆向恢復電流可消除逆向恢復損耗,提高頻率
  • 符合 AEC-Q101 標準,確保在汽車與嚴峻環境應用中的可靠性
  • 1200 V VRRM 額定值,支援高電壓整流與電源轉換架構
  • 順向電壓低至 1.38 V,可將導通損耗與熱應力降至最低
  • 超低漏電流 (低至 0.1 µA),可提升高溫穩定性
  • 高突波承受能力,最高可達 85 A,可應對嚴苛的負載暫態
  • 電容電荷低至 10.2 nC,可降低快速切換電路中的切換能量損耗
  • 接面工作溫度範圍:-55°C 至 +175°C,可實現高溫系統設計
  • 正溫度係數,有助於防止熱失控
  • 符合 RoHS 及無鹵素規範,滿足全球環保標準
應用
  • 切換式電源供應器 (SMPS)
  • 功率因數校正 (PFC)
  • 太陽能逆變器
  • 工業電源系統
  • 電動車充電基礎設施
  • 馬達驅動與牽引系統

SiC Schottky Diode Series 1200 V Automotive-Grade SiC Rectifiers in Various Package Sizes

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發佈日期: 2026-04-07