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分離閘極技術 MOSFET
MCC 的分離閘極技術 MOSFET 適用於需要節省空間和高效率的應用
Micro Commercial Component 的分離閘極技術 MOSFET 提供極低的 RDS(on) 值，並能在較小的封裝中提供更高的電流密度。因此，本產品適用於需要節省空間和高效率的應用。
分離閘極的優點
- 提升 BVDSS
- 漂移區中較高的 N 摻雜可最小化 RDS(on)
- 降低 QGD，減少米勒電荷耦合
- 提升 FOM，減少開關和傳導損耗
- 目前的 SGT 產品組合提供範圍從 30 V 至 150 V 的額定值，以及 1.5 mΩ 最低 RDS(on) 值，並採用常見封裝
特點和優點
- 多種 LV MOSFET 產品組合
- 低 RSP 值 (特定的導通電阻)
- 高效率
- 高品質
- 交貨快
Split-Gate Technology MOSFET's
| 圖片 | 製造商零件編號 | 說明 | 現有數量 | 價格 | 查看詳情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | MCAC80N10Y-TP | MOSFET N-CH 100 80A DFN5060 | 20485 - 即時供貨 | $88.00 | 查看詳情 |
| | MCAC30N06Y-TP | MOSFET N-CH 60 30A DFN5060 | 0 - 即時供貨 | $38.00 | 查看詳情 |
| | MCAC50N10Y-TP | MOSFET N-CH 100 50A DFN5060 | 5197 - 即時供貨 | $80.00 | 查看詳情 |
|  | MCU60P06-TP | MOSFET P-CH 60V 60A DPAK | 14257 - 即時供貨 | $103.00 | 查看詳情 |
發佈日期： 2020-05-22
台灣