1,200 V SiC MOSFET

Nexperia MOSFET 適用於電動車充電基礎設施和光電逆變器

Nexperia 的 1,200 V SiC MOSFET 圖片Nexperia 採用 D2PAK-7 表面黏著式元件 (SMD) 封裝的業界領先 1,200 V 碳化矽 (SiC) MOSFET 提供 30 mΩ、40 mΩ、60 mΩ、80 mΩ RDS(ON) 值選擇。繼發表兩款 3 引腳、4 引腳 TO-247 封裝的離散 SiC MOSFET 之後,Nexperia 推出了此產品。此系列 SiC MOSFET 產品組合正在迅速拓展,包括 RDS(ON) 值為 17 mΩ、30 mΩ、40 mΩ、60 mΩ、80 mΩ 且採用撓性封裝選項的元件。

特點
  • 優異的 RDS(ON) 溫度穩定性
  • 極低的切換損耗
  • 快速逆向恢復
  • 快速切換速度
  • 不受溫度影響的關斷切換損耗
  • 超快速且耐用的固有本體二極體
  • 由於額外的開爾文源極引腳,換向速度更快並改善了切換
應用
  • 電動車充電基礎設施
  • 光電逆變器
  • 切換式電源供應器
  • 不斷電系統
  • 馬達驅動

1,200 V SiC MOSFETs

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發佈日期: 2024-07-30