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R5449Z 單顆鋰離子電池保護 IC
Nisshinbo Micro Devices 的這款鋰離子電池保護 IC 非常適合高側 N 通道 MOSFET 和溫度監測應用
Nisshinbo Micro Devices 的 R5449Z 是一款單顆鋰離子／聚合物電池保護 IC，提供過量充電、過量放電、充放電過電流和溫度的偵測電路。這款 IC 可驅動外部高側 N 通道 MOSFET，提供高準確度的過量充電和過電流偵測以及針對 0 V 電池高準確度的充電抑制功能。R5449 IC 可以在偵測到過量放電後透過關閉內部電路將電源電流降至最低。附加的 CTL 接腳可以強制 IC 進入待機模式。
特點
- 絕對最大額定值：6.5 V
- 正常模式電源電流：5.0 μA (典型值)
- 待機電流：0.04 μA (最大值)
- 封裝：WLCSP-8-P8 (1.50 mm x 1.08 mm x 0.34 mm)
- 偵測器可選擇的範圍和準確度：
- 過量充電偵測電壓：4.2 V 至 4.6 V (每階 0.005 V，±10 mV)
- 過量放電偵測電壓 (VDET2)：2.0 V 至 3.4 V (每階 0.005 V，±35 mV)
- 放電過電流偵測電壓 (VDET3)：0.012 V 至 0.150 V (每階 ±0.001 V)
- 充電過電流偵測電壓：-0.150 V 至 -0.012 V (每階 0.001 V)
- 短路偵測電壓 (VSHORT)：0.032 V 至 0.200 V (每階 0.005 V，±3 mV)
- VSHORT 可設定的範圍會根據 VDET3 的設定值而變化
- 0 V 電池充電抑制電壓：1.25 V 至 2.00 V (每階 0.05 V，±50 mV)
- 過熱偵測溫度：+40°C 至 +85°C (每階 +5°C，±3°C)
- 內部固定輸出延遲時間：
- 過量充電偵測延遲時間：1024 ms/2048 ms/3072 ms/4096 ms
- 過量放電偵測延遲時間：16 ms/32 ms/128 ms
- 放電過電流偵測延遲時間：32 ms/128 ms/256 ms/512 ms/1024 ms
- 短路偵測延遲時間：280 μs
- 充電過電流偵測延遲時間：8 ms
- 過熱偵測延遲時間：128 ms/512 ms/1024 ms/4096 ms
- 選用功能：
- 充電過電流偵測：啟用／停用
- 0 V 電池充電：抑制
- 過電流偵測：高側 (RSENS 至 V+)
- 熱保護：充放電電流
- 外部 NTC 熱敏電阻：100 kΩ/470 kΩ
- 溫度監測週期：
- 非感測時間 (TTNS)：90 ms/528 ms/1040 ms
- 感測時間 (TTS)：10 ms
- 電流感測：電阻／FET
應用
- 鋰離子電池組保護 IC
- 智慧型手機
- 電子產品
發佈日期： 2024-05-07
