G3VM-QR MOSFET 繼電器

Omron S-VSON MOSFET 具有小巧的尺寸與高電流處理能力

Omron G3VM-QR MOSFET 繼電器的圖片Omron Electronic Components G3VM-QR 系列 S-VSON MOSFET 採用小巧的尺寸設計,並提供高電流處理能力,其中 G3VM-61QR3 版本具有極低的導通電阻、低輸出電容。這些四引腳的 MOSFET 可以管理高達 100 V 的負載電壓、低至 0.65 A 的連續負載電流。此外,輸入與輸出之間具備 500 V/min 介電強度,並能在 -40°C 至 +110°C 的寬廣環境溫度範圍內可靠運作。21QR、21QR1、41QR4 型號具有快速開關特性、低電容與低電阻,並可適應不同負載電壓及連續負載電流的變化。低電容與低電阻可在高頻及資料線應用中,降低訊號失真與插入損耗。這些元件非常適合半導體測試設備、測試與量測設備、通訊裝置、數據記錄器等各種應用,即使在嚴苛的環境中也能提供高效率的表現。

特點
  • 30 V、60 V 或 100 V 負載電壓
  • 最大 1.5 A 連續負載電流
  • 快速反應
    • G3VM-61QR3:動作時間 0.25 ms (最大)、恢復時間 0.2 ms (最大)
    • G3VM-21QR:動作時間 0.08 ms (最大)、恢復時間 0.12 ms (最大)
    • G3VM-21QR1 與 G3VM-41QR4:動作時間 0.15 ms (最大)、恢復時間 0.1 ms (最大)
  • 工作溫度範圍:-40°C 至 +110°C
  • S-VSON 封裝
  • 1 A (SPST-NO) 觸點形式
  • G3VM-61QR3
    • 低輸出電容量
    • 低導通電阻型
  • 符合 RoHS 指令
應用
  • 半導體測試設備
  • 測試與量測設備
  • 通訊設備
  • 電源供應器
  • 數據記錄器

G3VM-QR MOSFET Relays

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更新日期: 2026-02-10
發佈日期: 2024-09-25