1200 V EliteSiC 二極體

onsemi 碳化矽 (SiC) 二極體的優勢包括更快的工作頻率、更高的功率密度和更低的 EMI

onsemi 1200 V 碳化矽 (SiC) 二極體的圖片onsemi EliteSiC 肖特基二極體使用的技術可提供比矽卓越的切換效能和更高的可靠度。碳化矽無逆向恢復電流,具有不受溫度影響的切換特性以及優異的熱效能,因此是新一代的功率半導體。系統優點包括高效率、快速工作頻率、提升功率密度、降低 EMI,並且縮減系統尺寸和成本。

特點
  • 可輕鬆並聯
  • 高突波電流電容量
  • 最高接面溫度:+175°C
  • 無逆向恢復/無順向恢復
  • 高切換頻率
  • 低順向電壓 (VF)
  • 正溫度係數
  • 通過 AEC-Q101 認證並可提供 PPAP 報告
應用
  • 車用 HEV-EV DC/DC 轉換器
  • 車用 HEV-EV 車載充電器
  • 工業電力
  • PFC
  • 太陽能
  • UPS
  • 熔接

1200 V EliteSiC Diodes

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DIODE SIL CARB 1200V 32A TO263FFSB20120A-F085DIODE SIL CARB 1200V 32A TO2631463 - 即時供貨
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DIODE SIL CARB 1200V 30A TO2472FFSH20120ADIODE SIL CARB 1200V 30A TO24720 - 即時供貨$223.97查看詳情
DIODE SIL CARB 1200V 77A TO2472FFSH50120ADIODE SIL CARB 1200V 77A TO2472878 - 即時供貨
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DIODE SIL CARB 1200V 26A TO2472NDSH20120CDIODE SIL CARB 1200V 26A TO24721079 - 即時供貨
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DIODE SIL CARB 1200V 30A TO2472FFSH20120A-F155DIODE SIL CARB 1200V 30A TO2472579 - 即時供貨$443.00查看詳情

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發佈日期: 2020-04-02