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NTBG040N120M3S 40 mΩ SiC MOSFET

onsemi 的 M3S MOSFET 透過 18 V 閘極驅動達到峰值效率，並在 15 V 維持令人滿意的效能

onsemi 的 NTBG040N120M3S 40 mΩ SiC MOSFET 圖片onsemi 的 1200 V M3S 碳化矽 (SiC) MOSFET 利用平面技術，在負閘極電壓和暫態閘極電壓偏移下實現穩健運作。它透過 18 V 閘極驅動達到峰值效率，但在 15 V 維持令人滿意的效能。

特點
  • Kelvin Source 配置的 D2PAK-7L 封裝
  • 優異的效能指數 (FOM) (= RDS(ON) x EOSS)
  • 超低閘極電荷 (QG(TOT) = 75 nC)
  • 低電容量的高速切換能力 (COSS = 80 pF
  • 15 V 至 18 V 閘極驅動
  • M3S 技術：40 mΩ RDS(ON) 及低 EON、EOFF 損耗
  • 通過 100% 突崩測試
  • 不含鹵化物且符合 RoHS 指令
應用
  • 工業

NTBG040N120M3S 40 mΩ SiC MOSFET

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SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - ENTBG040N120M3SSILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E863 - 即時供貨$381.00查看詳情
發佈日期： 2024-02-08