PowerTrench® MOSFET

onsemi T10 系列 MOSFET 採用小型 5 mm x 6 mm 封裝,具有較低的總閘極電荷、更佳的恢復特性

onsemi 的 PowerTrench® MOSFET 的圖片onsemi PowerTrench MOSFET 代表效率和效能的一大飛躍。從 T6/T8 過渡到 T10 的過程中,在導通電阻和切換效能方面有了顯著改善,這對於能量敏感型設計至關重要。T10 系列採用緊湊的 5 mm x 6 mm 封裝,具有最佳的導通電阻,可提供更低的總閘極電荷、更佳的恢復特性,從而減少以熱量形式浪費的能源,提高可靠性,並增強高頻切換應用的效能。

T10 MOSFET 具有更高的突崩電流和能量能力,確保在極端條件下的穩健性。這些進步不僅是逐步改善的,而是具有變革性的,使得電子裝置更加緊湊、高效且強大。從 DC/DC 轉換器到馬達驅動器,PowerTrench 技術已為電源管理解決方案的可能性樹立了標準。

特點
  • 在更高頻率下,降低切換損耗
  • 更佳的散熱
  • 降低 RDS(ON),改善導通損耗
  • 更小、更高功率密度的封裝
  • 符合 AEC 標準的 40 V 至 80 V T10 MOSFET
  • 與前一代產品相比,Rsp 降低 30% 至 40%
  • Qg、Qsw、Qoss 降低 2 倍
  • 更柔和的回復二極體、更低的 Qrr
  • UIS 能力提高 10%
應用
  • 資料中心
  • DC/DC 電源轉換級
  • 一般用途,適合許多不同的應用

PowerTrench® MOSFETs

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發佈日期: 2024-09-09