600 V 和 650 V 超接面 MOSFET

PANJIT 的 MOSFET 經過最佳化,可為電源轉換電路設計提供簡單、高效的設計支援

PANJIT 的 600 V/650 V 超接面 MOSFET 圖片PANJIT 的超接面 MOSFET 經過最佳化,可為 AC/DC、DC/DC 轉換器等裝置中的電源轉換電路設計提供簡單、高效的設計支援。由於適當的切換效能和低 RDS(ON),PANJIT 的第一代超接面 MOSFET 無需系統設計工程師花費太多設計心力,這使得 PANJIT 超接面 MOSFET 的系統尺寸更小、散熱量更低。超接面 MOSFET 的耐用性也是一項關鍵因素,可正確設計出系統來獲得更可靠的系統效能。

PANJIT 的超接面 MOSFET 提供出色的本體二極體 di/dt 耐用性。這種本體二極體的堅固耐用性可以使系統在 LLC、移相全橋轉換器等系統中更加可靠。它們還降低了設計複雜性來避免本體二極體失效情況,因此設計人員可以透過出色的本體二極體耐用性來專注於系統效能。非常穩定的切換效能是 PANJIT 超接面 MOSFET 的關鍵效能之一。PANJIT 的超接面 MOSFET 是專為鎖定較低電壓尖波和振盪的設計而開發,以減少 PCB 設計工作量,用更高的靈活性跟進系統設計,讓採用 PANJIT 超接面 MOSFET 的系統具有較低的 EMI 和適當的系統效能。工程師和研發人員可以利用 PANJIT 超接面 MOSFET 來提高可靠性、最大化系統效能,進而延長使用壽命。

特點
  • 本體二極體能力的穩健性
  • 低 FOM
  • 高效率
  • 高品質
  • 良好的 EMI 效能
應用
  • 基地台
  • PC 電源供應器
  • 家電
  • 電玩配接器
  • PD 充電器

TVS Diodes

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Transistors - FETs, MOSFETs - Single

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發佈日期: 2022-05-13