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第 3 代溝槽式 SiC MOSFET
ROHM 的原創設計提供高耐受電壓，並具有低導通電阻以及快速切換速度
ROHM 的第 3 代 SiC MOSFET 採用自行研發的溝槽式閘極結構，相較於既有的平面型 SiC MOSFET，可降低導通電阻達 50% 及輸入電容量約 35%。 這有助於大幅降低切換損耗，並達到更快的切換速度，進而提升效率，同時還能降低多種類型設備中的功率損耗。
主要優勢
- 更低的導通電阻，能提升逆變器功率密度
- 支援高速切換
- 具有最少的寄生二極體逆向復原特性
- 小 Qg 和寄生電容量
- 消除寄生二極體導通導致的劣化
- 相容於高溫操作（Tjmax 為 175°C）
3rd Generation Trench-Type SiC MOSFETs
| 圖片 | 製造商零件編號 | 說明 | 現有數量 | 價格 | 查看詳情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | SCT3022ALGC11 | SICFET N-CH 650V 93A TO247N | 0 - 即時供貨 | $1,428.00 | 查看詳情 |
| | SCT3030ALGC11 | SICFET N-CH 650V 70A TO247N | 0 - 即時供貨 | $825.00 | 查看詳情 |
| | SCT3060ALGC11 | SICFET N-CH 650V 39A TO247N | 163 - 即時供貨 | $496.00 | 查看詳情 |
| | SCT3120ALGC11 | SICFET N-CH 650V 21A TO247N | 3858 - 即時供貨 | $314.00 | 查看詳情 |
| | SCT3030KLGC11 | SICFET N-CH 1200V 72A TO247N | 253 - 即時供貨 | $1,951.00 | 查看詳情 |
| | SCT3040KLGC11 | SICFET N-CH 1200V 55A TO247N | 574 - 即時供貨 | $1,264.00 | 查看詳情 |
| | SCT3080KLGC11 | SICFET N-CH 1200V 31A TO247N | 0 - 即時供貨 | $640.00 | 查看詳情 |
| | SCT3160KLGC11 | SICFET N-CH 1200V 17A TO247N | 55 - 即時供貨 | $217.00 | 查看詳情 |
發佈日期： 2016-08-15
台灣