QSiC™ 系列 1200 V Gen3 SiC MOSFET

SemiQ QSiC Gen3 SiC MOSFET 可降低切換損耗,並支援超過 1400 V 的工作電壓

SemiQ QSiC™ 系列 1200 V Gen3 SiC MOSFET 的圖片SemiQ QSiC 第三代碳化矽 (SiC) 1200 V MOSFET 是專為高電壓應用而設計,滿足對更高效率、緊湊尺寸、熱效能的需求。它比前一代產品小約 20%,可降低切換損耗,並支援超過 1400 V 的工作電壓。此元件非常適合電動車充電站、太陽能逆變器、再生能源系統、工業電源供應器、馬達驅動器、感應加熱,有助於縮小系統覆蓋區,同時提高功率密度與可靠性。

Gen3 SiC MOSFET 提供裸晶、SOT-227、TSPak、TO-247-4L 封裝,為工程師在各類電源設計中提供更大的靈活性。憑藉經過實證的 SiC 效能、耐用的結構,它支援工業及再生能源領域的高效率新一代電力電子設備。

特點
  • 高速切換,提高效率
  • 可靠的本體二極體,效能強勁
  • 經過 100% 測試,耐壓超過 1400 V
  • 開爾文參考,確保穩定運作
  • 隔離式背板,提高安全性
  • 經過 160 mJ 突崩測試,確保耐用性
  • 驅動器源極引腳,用於最佳化閘極控制
應用
  • 太陽能及光電逆變器
  • 切換式電源供應器 (SMPS) 及不斷電系統 (UPS)
  • 感應加熱及熔接設備
  • 電動車 (EV) 充電站
  • 高電壓 DC/DC 轉換器
  • 馬達驅動器
  • 電池充電器
  • 伺服器電源供應器
  • 儲能系統

QSiC™ Series 1200 V Gen3 SiC MOSFETs

圖片製造商零件編號說明現有數量價格查看詳情
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發佈日期: 2025-10-09