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S2M0080120N 1200 V 碳化矽 MOSFET
SMC Diode Solutions 的 MOSFET 非常適合嚴峻環境中的應用，例如太陽能逆變器和儲能系統
SMC Diode Solutions 的 S2M0080120N 是封裝在 SOT-227 外殼中的單 SiC 功率 MOSFET。這款元件是高電壓的 N 通道增強模式 MOSFET，在極端溫度下具有非常低的總導通損耗、非常穩定的切換特性。S2M0080120N 非常適合嚴峻環境中的能量敏感型高頻應用。
特點
- 正溫度特性，易於並聯
- 低導通電阻：77 mΩ 典型值 RDS(ON)
- 快速切換速度
- 低切換損耗
- 快速且耐用的固有本體二極體
- 非光亮錫電鍍製程
應用
- EV 快充模組
- EV 車載充電器
- 太陽能逆變器
- 線上／工業 UPS
- SMPS
- DC/DC 轉換器
- 儲能系統
S2M0080120N Silicon Carbide MOSFET
| 圖片 | 製造商零件編號 | 說明 | 現有數量 | 價格 | 查看詳情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | S2M0080120N | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V | 27 - 即時供貨 | $841.00 | 查看詳情 |
發佈日期： 2024-06-03
