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S2M0120120K/D 1,200 V SiC 功率 MOSFET
SMC Diode Solutions 的功率 MOSFET 具有極低的總導通損耗、非常穩定的切換特性
SMC Diode Solutions 的 S2M0120120K/D 是採用 TO-247-4 (S2M0120120K) 或 TO-247-3 外殼 (S2M0120120D) 封裝的單 SiC 功率 MOSFET。它是高電壓的 N 通道增強模式 MOSFET，在極端溫度下具有非常低的總導通損耗、非常穩定的切換特性。S2M0120120K/D 非常適合嚴峻環境中的能量敏感型高頻應用。
特點
- 正溫度特性，易於並聯
- 低導通電阻：典型值 RDS(ON) = 133 mΩ
- 快速切換、低切換損耗
- 超快速且耐用的固有本體二極體
- 非光亮錫電鍍製程
應用
- 電動車快充模組
- EV 車載充電器
- 太陽能逆變器
- 線上和工業 UPS
- 切換式電源供應器 (SMPS)
- DC/DC 轉換器
- 儲能系統 (ESS)
S2M0120120K/D 1,200 V SiC Power MOSFETs
| 圖片 | 製造商零件編號 | 說明 | 現有數量 | 價格 | 查看詳情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | S2M0120120K | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V | 295 - 即時供貨 | $242.00 | 查看詳情 |
|  | S2M0120120D | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V | 184 - 即時供貨 | $221.00 | 查看詳情 |
發佈日期： 2024-05-15
