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S2M0160120K/D 1,200 V SiC 功率 MOSFET
SMC Diode Solutions 的這款 MOSFET 在極端溫度下提供極低的傳導損耗和穩定的切換特性
SMC Diode Solutions 的 S2M0160120K 和 S2M0160120D 是單一 SiC 的功率 MOSFET，封裝在 TO-247-4 外殼 (S2M0160120K) 或 TO-247-3 外殼( S2M0160120D) 中。這款元件是高電壓的 N 通道增強模式 MOSFET，在極端溫度下具有非常低的總導通損耗和非常穩定的切換特性。
S2M0160120K/D MOSFET 非常適合在富有挑戰性環境中的能量敏感型高頻應用。
特點
- 正溫度特性，易於並聯
- 低的導通電阻 RDS(ON)：175 mΩ (典型值)
- 快速切換、低切換損耗
- 超快速且耐用的固有本體二極體
- 非光亮錫電鍍製程
應用
- 電動車 (EV)：快速充電模組和車載充電器
- 太陽能逆變器
- 線上和工業 UPS
- 切換式電源供應器 (SMPS)
- DC/DC 轉換器
- 儲能系統 (ESS)
S2M0160120K/D SiC Power MOSFETs
| 圖片 | 製造商零件編號 | 說明 | 資格 | 安裝類型 | 現有數量 | 價格 | 查看詳情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | S2M0160120K | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V | - | 通孔式 | 294 - 即時供貨 | $216.00 | 查看詳情 |
|  | S2M0160120D | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V | - | 通孔式 | 234 - 即時供貨 | $201.00 | 查看詳情 |
發佈日期： 2024-05-14
